Silisyòm Carbide Orizontal Bato Plak

Deskripsyon kout:

Semicera bay bato wafer, detantè, ak transpòtè wafer koutim pou konfigirasyon vètikal / kolòn ak orizontal.Seramik avanse bay ekselan rezistans chalè ak rezistans plasma, pandan y ap diminye patikil ak polyan.Semiconductor klas Silisyòm carbure (SiC) tou bay fòs segondè-tanperati pou transpòtè wafer gwo kapasite.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Entwodwi Plak bato orizontal Silisyòm Carbide dènye modèl nou an, ki fèt ak anpil atansyon pou aplikasyon pou pwosesis wafer endistri semi-conducteurs la.Fèt nan pi rafine carbure Silisyòm, plak bato orizontal nou an vle di pou pwopriyete siperyè tèmik li yo, rezistans chimik, ak fòs mekanik.Ideyal pou pwosesis tanperati ki wo, plak bato sa a fèt pou bay pèfòmans eksepsyonèl, asire presizyon ak efikasite nan chak itilizasyon.

Karakteristik kle

Durabilite eksepsyonèl:Te fè soti nan carbure Silisyòm-wo pite, nou an plak batose Enjenieri pou kenbe tèt ak tanperati ekstrèm jiska1600°C, ofri durability san parèy ak lavi.

Inifòm distribisyon chalè:Konduktivite tèmik nan carbure Silisyòm asire distribisyon chalè menm atravè plak la, kritik pou kenbe konsistans pwosesis ak reyalize pwodiksyon wafer-wo kalite.

Rezistans chimik:Rezistan a pwodwi chimik korozivite ak anviwònman piman bouk, plak bato nou an kenbe entegrite ak pèfòmans, menm nan aplikasyon yo pwosesis semi-conducteurs ki pi mande.

Segondè fòs mekanik:Konstriksyon solid nou anplak batogaranti ekselan fòs mekanik ak rezistans mete, diminye risk pou yo domaj ak bezwen pou ranplasman souvan.

Aplikasyon:

NouSilisyòm Carbide Orizontal Bato Plakse pafè pou yon pakèt pwosesis tanperati ki wo nan fabrikasyon semi-conducteurs, ki gen ladan men pa limite a difizyon, oksidasyon, enplantasyon ion, ak pwosesis CVD..Konsepsyon li yo ak materyèl asire ke li ka sipòte kondisyon egzak nan pwosesis wafer, fè li yon eleman esansyèl pou liy pwodiksyon semi-conducteurs.

Sou nou