Deskripsyon
Konpayi nou an bay sèvis pwosesis kouch SiC pa metòd CVD sou sifas la nan grafit, seramik ak lòt materyèl, se konsa ke gaz espesyal ki gen kabòn ak Silisyòm reyaji nan tanperati ki wo pou jwenn pite segondè molekil SiC, molekil depoze sou sifas la nan materyèl yo kouvwi, fòme kouch pwoteksyon SIC.
Karakteristik prensipal
1 .Segondè pite SiC kouvwi grafit
2. Siperyè rezistans chalè & inifòmite tèmik
3. Fine SiC kristal kouvwi pou yon sifas ki lis
4. Segondè durability kont netwayaj chimik
Espesifikasyon prensipal nan kouch CVD-SIC
| Pwopriyete SiC-CVD | ||
| Crystal Estrikti | FCC β faz | |
| Dansite | g/cm³ | 3.21 |
| Dite | Vickers dite | 2500 |
| Gwosè grenn | μm | 2 ~ 10 |
| Pite chimik | % | 99.99995 |
| Kapasite Chalè | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Tanperati sublimasyon | ℃ | 2700 |
| Flèsural fòs | MPa (RT 4-pwen) | 415 |
| Modil Young la | Gpa (4pt koube, 1300 ℃) | 430 |
| Ekspansyon tèmik (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Konduktivite tèmik | (W/mK) | 300 |
