MOCVD Pati Epitaxial

SiC kouvwi pwosesis pou baz grafit SiC kouvwi Graphite Carriers
Epitaksi GaN ki baze sou Silisyòm
Semiconductor SiC kouvwi monokristalin Silisyòm epitaxial disk
Graphite Susceptor ak Silisyòm Carbide Kouch, 8 pous Wafer Carrier
19 moso nan 2 pous grafit baz MOCVD ekipman pati
Graphite Susceptor ak Silisyòm Carbide Kouch, 6 moso 6 pous Wafer Carrier
Silisyòm Carbide Disk pou MOCVD
Anti-oksidasyon segondè pite SiC kouvwi plato MOCVD
41 moso 4 pous grafit baz MOCVD ekipman pati
36 moso nan 4 pous grafit baz MOCVD ekipman pati
Ble/vèt ki ap dirije epitaksi