Konpayi nou an baySiC kouchsèvis pwosesis sou sifas la nan grafit, seramik ak lòt materyèl pa metòd CVD, se konsa ke gaz espesyal ki gen kabòn ak Silisyòm ka reyaji nan tanperati ki wo pou jwenn molekil Sic ki gen anpil pite, ki ka depoze sou sifas materyèl kouvwi yo fòme yonSiC kouch pwoteksyonpou epitaksi barik tip hy pnotic.
Karakteristik prensipal:
1 .Segondè pite SiC kouvwi grafit
2. Siperyè rezistans chalè & inifòmite tèmik
3. byenSiC kristal kouvwipou yon sifas ki lis
4. Segondè durability kont netwayaj chimik
Espesifikasyon prensipal yoKouch CVD-SIC
| Pwopriyete SiC-CVD | ||
| Crystal Estrikti | FCC β faz | |
| Dansite | g/cm³ | 3.21 |
| Dite | Vickers dite | 2500 |
| Gwosè grenn | μm | 2 ~ 10 |
| Pite chimik | % | 99.99995 |
| Kapasite Chalè | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Tanperati sublimasyon | ℃ | 2700 |
| Flèsural fòs | MPa (RT 4-pwen) | 415 |
| Modil Young la | Gpa (4pt koube, 1300 ℃) | 430 |
| Ekspansyon tèmik (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Konduktivite tèmik | (W/mK) | 300 |
