SiC kouvwi pwosesis pou baz grafit SiC kouvwi Graphite Carriers

Nou kenbe tolerans trè sere lè w ap aplike aSiC kouch, lè l sèvi avèk wo-presizyon D pou asire yon pwofil inifòm susceptor.Nou menm tou nou pwodwi materyèl ki gen pwopriyete ideyal rezistans elektrik pou itilize nan sistèm endiktif chofe.Tout konpozan fini vini ak yon sètifika konfòmite pite ak dimansyon.

Konpayi nou an baySiC kouchsèvis pwosesis pa metòd CVD sou sifas la nan grafit, seramik ak lòt materyèl, se konsa ke gaz espesyal ki gen kabòn ak Silisyòm reyaji nan tanperati ki wo pou jwenn pite segondè molekil SiC, molekil depoze sou sifas la nan materyèl yo kouvwi, fòme SIC kouch pwoteksyon.SIC ki fòme a byen fèm estokaj nan baz grafit la, li bay baz la grafit pwopriyete espesyal, kidonk fè sifas la nan kontra enfòmèl ant grafit la, porosite-gratis, rezistans tanperati ki wo, rezistans korozyon ak rezistans oksidasyon.

Pwosesis CVD delivre pite trè wo ak dansite teyorik nanSiC kouchki pa gen okenn porosite.Anplis de sa, kòm carbure Silisyòm trè difisil, li ka poli nan yon sifas ki tankou glas.CVD Silisyòm carbure (SiC) kouchdelivre plizyè avantaj ki gen ladan sifas pite ultra-wo ak rezistans trè mete.Kòm pwodwi yo kouvwi gen gwo pèfòmans nan vakyòm segondè ak sikonstans tanperati ki wo, yo ideyal pou aplikasyon nan endistri semi-conducteurs ak lòt anviwònman ultra-pwòp.Nou menm tou nou bay pwodwi pirolitik grafit (PG).