Segondè tanperati ki reziste grafit crucible Segondè bon jan kalite lò k ap fonn crucible

Deskripsyon kout:

WeiTai EnèjiTeknoloji co, Ltd.se yon founisè dirijan ki espesyalize nan wafer ak avanse semiconductor consommables.Nou dedye a bay bon jan kalite, fyab, ak pwodwi inovatè nan fabrikasyon semi-conducteurs,endistri fotovoltaikak lòt domèn ki gen rapò.

Liy pwodwi nou an gen ladan pwodwi SiC / TaC kouvwi grafit ak pwodwi seramik, ki kouvri divès kalite materyèl tankou carbure Silisyòm, nitrure Silisyòm, ak oksid aliminyòm ak elatriye.

Kòm yon founisè ou fè konfyans, nou konprann enpòtans ki genyen nan consommables nan pwosesis fabrikasyon an, epi nou angaje nan fournir pwodwi ki satisfè pi wo estanda kalite yo satisfè bezwen kliyan nou yo.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Kreze grafit se sitou itilize pou fond kwiv, kwiv, lò, ajan, zenk ak plon, ak lòt metal ki pa FERROUS ak alyaj yo.

Creze grafit nou yo trete ak pite segondè izostatik bourade grafit, ki gen bon konduktiviti tèmik ak rezistans tanperati ki wo.Nan pwosesis pou sèvi ak tanperati ki wo, koyefisyan ekspansyon tèmik la piti, epi li gen sèten rezistans souch nan chalè egi ak refwadisman egi.Li gen gwo rezistans korozyon nan solisyon asid ak alkalin ak estabilite chimik ekselan.Modèl espesifik yo ka Customized ak desen ak echantiyon, ak materyèl yo se grafit domestik ak enpòte grafit satisfè bezwen yo diferan nan kliyan yo.

Pwensipal materyèl bwit yo nan kreze grafit yo se grafit, carbure Silisyòm, silica, ajil refractory, anplasman, ak goudwon, elatriye.
>Segondè pi bon kalite grafit Crucible
> Kreze grafit izostatik
> Silisyòm Carbide Graphite Crucible
> Silisyòm Carbide Crucible
>Clay Graphite Crucible
> Quarts Crucible

Karakteristik:
1. Long lavi travay tan
2. Segondè konduktiviti tèmik
3. Nouvo-style materyèl
4. Rezistans nan korozyon
5. Rezistans nan oksidasyon
6. segondè-fòs
7. Multi-fonksyon

Done teknik nan materyèl
Endèks	Inite	Valè estanda	Valè tès la
Rezistans Tanperati	℃	1650℃	1800℃
Konpozisyon chimik (%)	C	35 ~ 45	45
	SiC	15 ~ 25	25
	AL2O3	10 ~ 20	25
	SiO2	20 ~ 25	5
Aparan porosite	%	≤30%	≤28%
Fòs konpresyon	Mpa	≥8.5MPa	≥8.5MPa
Dansite esansyèl	g/cm3	≥1.75	1.78
Creze carbure Silisyòm nou an se fòme izostatik, ki ka itilize 23 fwa nan gwo founo dife, pandan ke lòt moun sèlman ka itilize 12 fwa.