Silisyòm Carbide Substrates|SiC Wafers

Silisyòm Carbide Substrats|SiC Wafers Imaj Prezantasyon

Deskripsyon kout:

WeiTai Enèji Teknoloji co, Ltd se yon founisè dirijan ki espesyalize nan wafer ak avanse semiconductor consommables.Nou dedye a bay bon jan kalite, fyab, ak pwodwi inovatè nan fabrikasyon semi-conducteurs, endistri fotovoltaik ak lòt domèn ki gen rapò.

Liy pwodwi nou an gen ladan pwodwi SiC / TaC kouvwi grafit ak pwodwi seramik, ki kouvri divès kalite materyèl tankou carbure Silisyòm, nitrure Silisyòm, ak oksid aliminyòm ak elatriye.

Kounye a, nou se sèl manifakti ki bay pite 99.9999% SiC kouch ak 99.9% rekristalize carbure Silisyòm.Longè kouch max SiC nou ka fè 2640mm.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Silisyòm carbure (SiC) yon sèl kristal materyèl gen yon gwo band gap lajè (~Si 3 fwa), segondè konduktiviti tèmik (~Si 3.3 fwa oswa GaAs 10 fwa), gwo pousantaj migrasyon elèktron saturation (~Si 2.5 fwa), segondè pann elektrik. jaden (~ Si 10 fwa oswa GaAs 5 fwa) ak lòt karakteristik eksepsyonèl.

Aparèy SiC yo gen avantaj iranplasabl nan domèn tanperati ki wo, presyon ki wo, frekans segondè, aparèy elektwonik gwo pouvwa ak aplikasyon pou anviwònman ekstrèm tankou ayewospasyal, militè, enèji nikleyè, elatriye, fè moute pou domaj yo nan aparèy tradisyonèl semi-conducteurs materyèl nan pratik. aplikasyon yo, epi yo piti piti vin endikap nan semi-conducteurs pouvwa.

4H-SiC espesifikasyon substrate carbure Silisyòm

Item项目	Spécifications参数
Politip 晶型	4H -SiC	6H- SiC
Dyamèt 晶圆直径	2 pous \|3 pous \|4 pous \|6 pous	2 pous \|3 pous \|4 pous \|6 pous
Epesè 厚度	330 μm ~ 350 μm	330 μm ~ 350 μm
Konduktivite 导电类型	N - kalite / Semi-izolasyon N型导电片/ 半绝缘片	N - kalite / Semi-izolasyon N型导电片/ 半绝缘片
Dopan 掺杂剂	N2 ( Azòt ) V ( Vanadyòm )	N2 ( Azòt ) V ( Vanadyòm )
Oryantasyon 晶向	Sou aks <0001> Off aks <0001> koupe 4°	Sou aks <0001> Off aks <0001> koupe 4°
Rezistivite 电阻率	0.015 ~ 0.03 ohm-cm (4H-N)	0.02 ~ 0.1 ohm-cm (6H-N)
Dansite Micropipe (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm	≤ 15 μm
Banza / Chaîne 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
Sifas 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Klas 产品等级	Pwodiksyon / klas rechèch	Pwodiksyon / klas rechèch
Crystal anpile sekans 堆积方式	ABCB	ABCABC
Paramèt lasi 晶格参数	a=3.076A, c=10.053A	a = 3.073A, c = 15.117A
Eg/eV(Band-gap) 禁带宽度	3.27 eV	3.02 eV
ε (Dyelèktrik konstan) 介电常数	9.6	9.66
Endèks refraksyon 折射率	n0 = 2.719 ne = 2.777	n0 = 2,707, ne = 2,755

6H-SiC Silisyòm Carbide substra espesifikasyon

Item项目	Spécifications参数
Politip 晶型	6H-SiC
Dyamèt 晶圆直径	4 pous \|6 pous
Epesè 厚度	350μm ~ 450μm
Konduktivite 导电类型	N - kalite / Semi-izolasyon N型导电片/ 半绝缘片
Dopan 掺杂剂	N2 (Azòt) V ( Vanadyòm )
Oryantasyon 晶向	<0001> koupe 4°± 0.5°
Rezistivite 电阻率	0.02 ~ 0.1 ohm-cm (6H-N Kalite)
Dansite Micropipe (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm
Banza / Chaîne 翘曲度	≤25 μm
Sifas 表面处理	Si Face: CMP, Epi-Ready C fas: optik Polonè
Klas 产品等级	Rechèch klas