Segondè bon jan kalite carbure Silisyòm kouvwi eleman chofaj pou MOCVD

Deskripsyon kout:

WeiTai Enèji Teknoloji co, Ltd se yon founisè dirijan ki espesyalize nan wafer ak avanse semiconductor consommables.Nou dedye a bay bon jan kalite, fyab, ak pwodwi inovatè nan fabrikasyon semi-conducteurs,endistri fotovoltaikak lòt domèn ki gen rapò.

Liy pwodwi nou an gen ladan pwodwi SiC / TaC kouvwi grafit ak pwodwi seramik, ki kouvri divès kalite materyèl tankou carbure Silisyòm, nitrure Silisyòm, ak oksid aliminyòm ak elatriye.

Kòm yon founisè ou fè konfyans, nou konprann enpòtans ki genyen nan consommables nan pwosesis fabrikasyon an, epi nou angaje nan fournir pwodwi ki satisfè pi wo estanda kalite yo satisfè bezwen kliyan nou yo.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Karakteristik prensipal nan aparèy chofaj grafit:

1. inifòmite èstrikti chofaj.

2. bon konduktiviti elektrik ak gwo chaj elektrik.

3. kowozyon rezistans.

4. inoxidizability.

5. pite chimik anwo nan syèl la.

6. segondè fòs mekanik.

Avantaj la se enèji efikas, gwo valè ak antretyen ki ba.Nou ka pwodwi anti-oksidasyon ak long lavi span kreze grafit, mwazi grafit ak tout pati nan aparèy chofaj grafit.

Paramèt prensipal nan aparèy chofaj grafit

Espesifikasyon teknik	VET-M3
Dansite esansyèl (g/cm3)	≥1.85
Sann kontni (PPM)	≤500
Shore dite	≥45
Rezistans espesifik (μ.Ω.m)	≤12
Fòs flexural (Mpa)	≥40
Fòs konpresyon (Mpa)	≥70
Max.Gwosè grenn (μm)	≤43
Koefisyan ekspansyon tèmik Mm/°C	≤4.4 * 10-6