Deskripsyon
Konpayi nou an baySiC kouchsèvis pwosesis sou sifas la nan grafit, seramik ak lòt materyèl pa metòd CVD, se konsa ke gaz espesyal ki gen kabòn ak Silisyòm ka reyaji nan tanperati ki wo pou jwenn molekil Sic ki gen anpil pite, ki ka depoze sou sifas materyèl kouvwi yo fòme yonSiC kouch pwoteksyonpou epitaksi barik tip hy pnotic.
Karakteristik prensipal
1. Rezistans oksidasyon tanperati ki wo:
rezistans oksidasyon an toujou trè bon lè tanperati a wo tankou 1600 C.
2. Segondè pite: fèt pa depo vapè chimik anba kondisyon klorinasyon tanperati ki wo.
3. Rezistans ewozyon: segondè dite, sifas kontra enfòmèl ant, patikil amann.
4. Rezistans korozyon: asid, alkali, sèl ak reyaktif òganik.
Espesifikasyon prensipal nan kouch CVD-SIC
| Pwopriyete SiC-CVD | ||
| Crystal Estrikti | FCC β faz | |
| Dansite | g/cm³ | 3.21 |
| Dite | Vickers dite | 2500 |
| Gwosè grenn | μm | 2 ~ 10 |
| Pite chimik | % | 99.99995 |
| Kapasite Chalè | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Tanperati sublimasyon | ℃ | 2700 |
| Flèsural fòs | MPa (RT 4-pwen) | 415 |
| Modil Young la | Gpa (4pt koube, 1300 ℃) | 430 |
| Ekspansyon tèmik (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Konduktivite tèmik | (W/mK) | 300 |
