Silisyòm carbure waferse te fè nan poud Silisyòm pite segondè ak poud kabòn pite segondè kòm matyè premyè, ak kristal carbure Silisyòm grandi pa metòd transfè vapè fizik (PVT), ak trete nanSilisyòm carbure wafer.
① sentèz matyè premyè. Poud Silisyòm pite segondè ak poud kabòn pite segondè yo te melanje dapre yon sèten rapò, ak patikil carbure Silisyòm yo te sentèz nan tanperati ki wo pi wo a 2,000 ℃. Apre yo fin kraze, netwaye ak lòt pwosesis, yo prepare materyèl poud carbure Silisyòm pite segondè ki satisfè kondisyon kwasans kristal yo.
② Kwasans kristal. Sèvi ak pite segondè SIC poud kòm matyè premyè, kristal la te grandi pa metòd transfè vapè fizik (PVT) lè l sèvi avèk pwòp tèt ou-devlope gwo fou kristal kwasans.
③ pwosesis ingot. Yo te jwenn lingote kristal carbure Silisyòm nan oryante pa radyografi sèl oryantè kristal, Lè sa a, tè ak woule, ak trete nan estanda dyamèt kristal Silisyòm carbure.
④ Crystal koupe. Sèvi ak ekipman koupe milti-liy, kristal carbure Silisyòm yo koupe an fèy mens ak yon epesè ki pa plis pase 1mm.
⑤ Chip fanm k'ap pile. Wafer a se tè nan plat la vle ak brutality pa dyaman fanm k'ap pile likid nan gwosè patikil diferan.
⑥ Chip polisaj. Polisaj Silisyòm polis san domaj sifas yo te jwenn pa polisaj mekanik ak polisaj chimik mekanik.
⑦ Chip deteksyon. Sèvi ak mikwoskòp optik, difractomètr radyografi, mikwoskòp fòs atomik, tèsteur rezistivite ki pa kontak, tèsteur platite sifas, tèsteur konplè defo sifas ak lòt enstriman ak ekipman pou detekte dansite mikrotubule, bon jan kalite kristal, brutality sifas, rezistivite, deformation, koub, chanjman epesè, grate sifas ak lòt paramèt nan wafer carbure Silisyòm. Dapre sa a, se nivo bon jan kalite nan chip la detèmine.
⑧ Netwayaj chip. Silisyòm carbure polisaj fèy la netwaye ak ajan netwayaj ak dlo pi pou retire likid polisaj rezidyèl la ak lòt pousyè tè sifas sou fèy polisaj la, ak Lè sa a, wafer la soufle epi souke sèk pa nitwojèn ultra-wo pite ak machin siye; Wafer a encapsulé nan yon bwat fèy pwòp nan yon chanm super-pwòp pou fòme yon wafer en pare pou itilize Silisyòm carbure.
Pi gwo gwosè chip la, pi difisil kwasans kristal korespondan ak teknoloji pwosesis, ak pi wo efikasite fabrikasyon aparèy en, se pi ba pri inite a.
Tan pòs: 24-Nov-2023