A pwezan, pweparasyon metòd deSiC kouchsitou gen ladan metòd jèl-sol, metòd embedding, metòd kouch bwòs, metòd flite plasma, metòd reyaksyon chimik gaz (CVR) ak metòd depo chimik vapè (CVD).
Metòd entegre:
Metòd la se yon kalite tanperati ki wo SINTERING solid faz, ki sitou itilize melanj lan nan poud Si ak poud C kòm poud la embedding, se matris la grafit mete nan poud lan entegre, ak SINTERING nan tanperati ki wo te pote soti nan gaz la inaktif. , epi finalman anSiC kouchyo jwenn sou sifas matris grafit la.Pwosesis la se senp ak konbinezon ki genyen ant kouch la ak substra a se yon bon bagay, men inifòmite nan kouch nan direksyon an epesè se pòv, ki se fasil yo pwodwi plis twou ak mennen nan pòv rezistans oksidasyon.
Metòd kouch bwòs:
Metòd kouch bwòs la se sitou bwose materyèl la anvan tout koreksyon likid sou sifas la nan matris la grafit, ak Lè sa a, geri materyèl la anvan tout koreksyon nan yon tanperati sèten yo prepare kouch la.Pwosesis la se senp epi pri a ba, men kouch ki prepare pa metòd kouch bwòs la fèb nan konbinezon ak substra a, inifòmite nan kouch se pòv, kouch la se mens ak rezistans nan oksidasyon ki ba, ak lòt metòd yo bezwen ede. li.
Metòd flite Plasma:
Metòd plasma a flite se sitou flite fonn oswa semi-fonn matyè premyè sou sifas la nan matris la grafit ak yon zam plasma, ak Lè sa a, solidifye ak kosyon yo fòme yon kouch.Metòd la se senp yo opere epi li ka prepare yon kouch carbure Silisyòm relativman dans, men kouch carbure Silisyòm ki prepare pa metòd la souvan twò fèb epi li mennen nan rezistans oksidasyon fèb, kidonk li se jeneralman yo itilize pou preparasyon nan kouch SiC konpoze amelyore. bon jan kalite a nan kouch la.
Metòd jèl-sol:
Metòd jèl-sol la se sitou prepare yon solisyon inifòm ak transparan Sol ki kouvri sifas matris la, seche nan yon jèl ak Lè sa a, SINTERING jwenn yon kouch.Metòd sa a se senp pou opere ak pri ki ba, men kouch ki pwodui a gen kèk enpèfeksyon tankou rezistans chòk tèmik ki ba ak fann fasil, kidonk li pa ka lajman itilize.
Reyaksyon gaz chimik (CVR):
CVR sitou jenereSiC kouchlè l sèvi avèk Si ak SiO2 poud pou jenere SiO vapè nan tanperati ki wo, ak yon seri de reyaksyon chimik rive sou sifas C substrate materyèl.LaSiC kouchprepare pa metòd sa a byen kole ak substra a, men tanperati reyaksyon an pi wo ak pri a pi wo.
Depozisyon Vapè Chimik (CVD):
Kounye a, CVD se teknoloji prensipal pou prepareSiC kouchsou sifas substra a.Pwosesis prensipal la se yon seri reyaksyon fizik ak chimik nan materyèl faz gaz reyaktif sou sifas substra a, epi finalman kouch SiC la prepare pa depozisyon sou sifas substra a.Kouch SiC ki prepare pa teknoloji CVD la byen kole ak sifas substra a, sa ki ka efektivman amelyore rezistans oksidasyon ak rezistans ablatif materyèl substra a, men tan depo metòd sa a pi long, ak gaz reyaksyon an gen yon sèten toksik. gaz.
Tan pòs: Nov-06-2023