Nan domèn teknoloji elektwonik jodi a, materyèl semi-conducteurs jwe yon wòl enpòtan.Nan mitan yo, carbure Silisyòm (SiC) kòm yon bann lajè gap materyèl semi-conducteurs, ak avantaj pèfòmans ekselan li yo, tankou gwo pann elektrik jaden, gwo vitès saturation, segondè konduktiviti tèmik, elatriye, piti piti vin konsantre nan chèchè ak enjenyè.Silisyòm carbure epitaxial disk la, kòm yon pati enpòtan nan li, te montre gwo aplikasyon potansyèl.
一、epitaxial disk pèfòmans: avantaj plen
1. ultra-wo pann elektrik jaden: konpare ak materyèl tradisyonèl Silisyòm, pann elektrik jaden an nan karbid Silisyòm se plis pase 10 fwa.Sa vle di ke nan menm kondisyon vòltaj yo, aparèy elektwonik ki itilize disk epitaxial carbure Silisyòm ka kenbe tèt ak pi wo kouran, kidonk kreye aparèy elektwonik wo-vòltaj, segondè-frekans, gwo pouvwa.
2. Vitès saturation gwo vitès: vitès saturation carbure Silisyòm se plis pase 2 fwa silisyòm.Opere nan tanperati ki wo ak gwo vitès, disk epitaxial carbure Silisyòm fè pi byen, ki amelyore estabilite ak disponiblite aparèy elektwonik yo anpil.
3. Segondè efikasite tèmik konduktiviti: konduktiviti tèmik nan carbure Silisyòm se plis pase 3 fwa sa yo ki nan Silisyòm.Karakteristik sa a pèmèt aparèy elektwonik pi byen gaye chalè pandan operasyon kontinyèl gwo pouvwa, kidonk anpeche surchof ak amelyore sekirite aparèy.
4. Estabilite chimik ekselan: nan anviwònman ekstrèm tankou tanperati ki wo, presyon ki wo ak radyasyon fò, pèfòmans nan carbure Silisyòm se toujou ki estab tankou anvan.Karakteristik sa a pèmèt disk epitaxial carbure Silisyòm pou kenbe pèfòmans ekselan nan fè fas a anviwònman konplèks.
二、pwosesis manifakti: ak anpil atansyon fè mete pòtre
Pwosesis prensipal yo pou fabrikasyon SIC epitaxial disk gen ladan depo fizik vapè (PVD), depo vapè chimik (CVD) ak kwasans epitaksi.Chak nan pwosesis sa yo gen karakteristik pwòp li yo epi li mande pou kontwòl egzak sou divès paramèt pou reyalize pi bon rezilta yo.
1. Pwosesis PVD: Pa evaporasyon oswa sputtering ak lòt metòd, sib SiC la depoze sou substra a pou fòme yon fim.Fim nan prepare pa metòd sa a gen gwo pite ak bon kristalinite, men vitès pwodiksyon an se relativman dousman.
2. Pwosesis CVD: Pa fann gaz sous carbure Silisyòm nan tanperati ki wo, li depoze sou substra a pou fòme yon fim mens.Epesè a ak inifòmite nan fim nan prepare pa metòd sa a yo kontwole, men pite a ak kristalinite yo pòv.
3. Epitaxial kwasans: kwasans kouch epitaxial SiC sou Silisyòm monokristalin oswa lòt materyèl monokristalin pa metòd depo chimik vapè.Kouch epitaxial prepare pa metòd sa a gen bon matche ak pèfòmans ekselan ak materyèl la substra, men pri a se relativman wo.
三、Prospect aplikasyon: Eklere tan kap vini an
Avèk devlopman kontinyèl nan teknoloji elektwonik pouvwa ak demann lan ogmante pou pèfòmans segondè ak segondè fyab aparèy elektwonik, Silisyòm carbure epitaxial disk gen yon pwospè aplikasyon laj nan fabrikasyon aparèy semi-conducteurs.Li se lajman ki itilize nan envantè de segondè-frekans segondè-pouvwa aparèy semi-conducteurs, tankou pouvwa switch elektwonik, varyateur, redresman, elatriye Anplis de sa, li se tou lajman ki itilize nan selil solè, dirije ak lòt jaden.
Avèk avantaj pèfòmans inik li yo ak amelyorasyon kontinyèl nan pwosesis fabrikasyon an, Silisyòm carbure epitaxial disk piti piti montre gwo potansyèl li nan jaden an semi-conducteurs.Nou gen rezon pou kwè ke nan tan kap vini an nan syans ak teknoloji, li pral jwe yon wòl pi enpòtan.
Lè poste: 28-Nov-2023