Aplikasyon TaC kouvwi pati grafit

PATI/1

Crucible, detantè grenn ak bag gid nan SiC ak AIN sèl kristal gwo founo dife yo te grandi pa metòd PVT

Jan yo montre nan Figi 2 [1], lè yo itilize metòd transpò vapè fizik (PVT) pou prepare SiC, kristal pitit pitit la se nan rejyon tanperati relativman ba, matyè premyè SiC se nan rejyon tanperati relativman wo (pi wo pase 2400).℃), ak materyèl la anvan tout koreksyon dekonpoze yo pwodwi SiXCy (sitou ki gen ladan Si, SiC₂, Si₂C, elatriye).Se materyèl la faz vapè transpòte soti nan rejyon an tanperati ki wo nan kristal la grenn nan rejyon an tanperati ki ba, forming nwayo grenn, grandi, ak jenere kristal sèl.Materyèl jaden tèmik yo itilize nan pwosesis sa a, tankou kreze, bag gid koule, detantè kristal grenn, yo ta dwe rezistan a tanperati ki wo epi yo pa pral polye matyè premyè SiC ak kristal sèl SiC.Menm jan an tou, eleman chofaj yo nan kwasans lan nan kristal sèl AlN bezwen rezistan a vapè Al, N.₂korozyon, epi yo bezwen gen yon tanperati eutektik segondè (ak AlN) pou vin pi kout peryòd preparasyon kristal la.

Li te jwenn ke SiC[2-5] ak AlN[2-3] prepare paTaC kouvwiMateryèl grafit tèmik jaden yo te pi pwòp, prèske pa gen okenn kabòn (oksijèn, nitwojèn) ak lòt enpurte, mwens domaj kwen, pi piti rezistivite nan chak rejyon, ak dansite micropore ak dansite twou san fon grave yo te siyifikativman redwi (apre KOH grave), ak bon jan kalite a kristal. te amelyore anpil.An plis,TaC crucibleto pèdi pwa se prèske zewo, aparans se ki pa destriktif, ka resikle (lavi jiska 200h), ka amelyore dirab la ak efikasite nan preparasyon kristal sèl sa yo.

FIG.2. (a) Dyagram chema siC yon sèl kristal aparèy k ap grandi ingot pa metòd PVT
(b) TopTaC kouvwisipò grenn (ki gen ladan grenn SiC)
(c)TAC-kouvwi grafit bag gid

PATI/2

MOCVD GaN epitaxial kouch ap grandi aparèy chofaj

Jan yo montre nan Figi 3 (a), MOCVD GaN kwasans se yon teknoloji depo vapè chimik ki itilize reyaksyon dekonpozisyon organometrical pou grandi fim mens pa kwasans epitaxial vapè.Presizyon tanperati a ak inifòmite nan kavite a fè aparèy chofaj la vin eleman debaz ki pi enpòtan nan ekipman MOCVD.Si substra a ka chofe byen vit ak inifòm pou yon tan long (anba refwadisman repete), estabilite nan tanperati ki wo (rezistans nan korozyon gaz) ak pite nan fim nan pral dirèkteman afekte bon jan kalite a nan depo fim nan, konsistans nan epesè, ak pèfòmans nan chip la.

Yo nan lòd yo amelyore pèfòmans ak resiklaj efikasite nan aparèy chofaj la nan sistèm kwasans MOCVD GaN,TAC-kouvwiaparèy chofaj grafit te prezante avèk siksè.Konpare ak kouch epitaxial GaN grandi pa aparèy chofaj konvansyonèl (lè l sèvi avèk kouch pBN), kouch epitaxial GaN grandi nan aparèy chofaj TaC gen prèske menm estrikti kristal, inifòmite epesè, domaj intrinsèques, dopaj enpurte ak kontaminasyon.Anplis de sa, laTaC kouchgen rezistans ki ba ak emisivite sifas ki ba, sa ki ka amelyore efikasite ak inifòmite nan aparèy chofaj la, kidonk diminye konsomasyon pouvwa ak pèt chalè.Yo ka ajiste porosite kouch la nan kontwole paramèt pwosesis yo pou amelyore plis karakteristik radyasyon aparèy chofaj la epi pwolonje lavi sèvis li [5].Avantaj sa yo fèTaC kouvwiaparèy chofaj grafit yon chwa ekselan pou sistèm kwasans MOCVD GaN.

FIG.3. (a) Dyagram chematik aparèy MOCVD pou kwasans epitaksi GaN
(b) Aparèy chofaj grafit ki kouvwi TAC ki moule enstale nan konfigirasyon MOCVD, eksepte baz ak bracket (ilustrasyon ki montre baz ak bracket nan chofaj)
(c) TAC-kouvwi aparèy chofaj grafit apre 17 GaN epitaxial kwasans.[6]

PATI/3

Sisseptè kouvwi pou epitaksi (transporteur wafer)

Wafer konpayi asirans se yon eleman estriktirèl enpòtan pou preparasyon SiC, AlN, GaN ak lòt wafers twazyèm klas semi-conducteurs ak kwasans epitaxial wafer.Pifò nan transpòtè wafer yo te fè nan grafit ak kouvwi ak kouch SiC pou reziste korozyon soti nan gaz pwosesis, ak yon seri tanperati epitaxial nan 1100 a 1600.°C, ak rezistans korozyon nan kouch pwoteksyon an jwe yon wòl enpòtan nan lavi a nan konpayi asirans lan wafer.Rezilta yo montre ke to a korozyon nan TaC se 6 fwa pi dousman pase SiC nan amonyak tanperati ki wo.Nan idwojèn tanperati ki wo, to a korozyon se menm plis pase 10 fwa pi dousman pase SiC.

Li te pwouve pa eksperyans ke plato yo kouvri ak TaC montre bon konpatibilite nan pwosesis la limyè ble GaN MOCVD epi yo pa prezante enpurte.Apre ajisteman pwosesis limite, led yo grandi lè l sèvi avèk transpòtè TaC montre menm pèfòmans ak inifòmite kòm transpòtè SiC konvansyonèl yo.Se poutèt sa, lavi sa a ki sèvis nan TAC-kouvwi palettes se pi bon pase sa yo ki nan lank wòch fè akSiC kouvwipalèt grafit.