Avantaj
Rezistans oksidasyon tanperati ki wo
Ekselan rezistans korozyon
Bon rezistans abrasion
Segondè koyefisyan konduktiviti chalè
Oto-lubricity, dansite ki ba
Segondè dite
Konsepsyon Customized.
Aplikasyon
-Jaden ki reziste mete: kousin, plak, bouch sablaj, pawa siklòn, barik fanm k'ap pile, elatriye...
-High Tanperati Field: siC Slab, Trempe Tib founo, Tib radyan, kreze, Eleman chofaj, roulo, gwo bout bwa, echanjeur chalè, tiyo lè frèt, bouch brûler, tib pwoteksyon thermocouple, bato SiC, estrikti machin fou, Setter, elatriye.
-Silicon Carbide Semiconductor: SiC wafer bato, sic chuck, sic pedal, sic kasèt, sic difizyon tib, fouchèt wafer, plak aspirasyon, gid, elatriye.
-Silicon Carbide sele jaden: tout kalite bag sele, kote yo pote, kousin, elatriye.
-Jaden fotovoltaik: Cantilever Paddle, Manje Barik, Silisyòm Carbide Woulo, elatriye.
-Lityòm batri jaden
Pwopriyete fizik SiC
| Pwopriyete | Valè | Metòd |
| Dansite | 3.21 g/cc | Lavabo-flote ak dimansyon |
| Chalè espesifik | 0.66 J/g °K | Enpulsyon lazè flash |
| Fòs flexural | 450 MPa560 MPa | 4 pwen pliye, RT4 pwen pliye, 1300 ° |
| Severite frakti | 2.94 MPa m1/2 | Microindentation |
| Dite | 2800 | Vicker a, 500g chaj |
| Modil elastik Modil Young la | 450 GPa 430 GPa | 4 pt bend, RT4 pt bend, 1300 °C |
| Gwosè grenn | 2-10 µm | SEM |
Pwopriyete tèmik SiC
| Kondiktivite tèmik | 250 W/m °K | Lazè flash metòd, RT |
| Ekspansyon tèmik (CTE) | 4.5 x 10-6 °K | Tanperati chanm nan 950 °C, dilatomèt silica |
Paramèt teknik
| Atik | Inite | Done | ||||
| RBSiC (SiC) | NBSiC | SSiC | RSiC | OSiC | ||
| Kontni SiC | % | 85 | 75 | 99 | 99.9 | ≥99 |
| Kontni Silisyòm gratis | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Tanperati sèvis maksimòm | ℃ | 1380 | 1450 | 1650 | 1620 | 1400 |
| Dansite | g/cm3 | 3.02 | 2.75-2.85 | 3.08-3.16 | 2.65-2.75 | 2.75-2.85 |
| Louvri porosite | % | 0 | 13-15 | 0 | 15-18 | 7-8 |
| Fòs koube 20 ℃ | Мpa | 250 | 160 | 380 | 100 | / |
| Fòs koube 1200 ℃ | Мpa | 280 | 180 | 400 | 120 | / |
| Modil elastisite 20 ℃ | Gpa | 330 | 580 | 420 | 240 | / |
| Modil elastisite 1200 ℃ | Gpa | 300 | / | / | 200 | / |
| Konduktivite tèmik 1200 ℃ | W/mK | 45 | 19.6 | 100-120 | 36.6 | / |
| Koefisyan ekspansyon tèmik | K-1X10-6 | 4.5 | 4.7 | 4.1 | 4.69 | / |
| HV | Kg/mm2 | 2115 | / | 2800 | / | / |
Kouch carbure Silisyòm CVD sou sifas ekstèn pwodwi seramik carbure Silisyòm rkristalize ka rive jwenn yon pite plis pase 99,9999% pou satisfè bezwen kliyan nan endistri semi-conducteurs.
