Deskripsyon
Seramik carbure Silisyòm gen ekselan pwopriyete mekanik nan tanperati chanm, tankou gwo fòs, segondè dite, segondè modil elastik, elatriye, li tou gen ekselan estabilite segondè-tanperati tankou konduktiviti segondè tèmik, ba koyefisyan ekspansyon tèmik, ak bon rèd espesifik ak optik. pèfòmans pwosesis.
Yo espesyalman apwopriye pou pwodwi presizyon pati seramik pou ekipman sikwi entegre tankou machin litografi, sitou itilize pou fabrike konpayi asirans SiC/susceptor, bato wafer SiC, disk souse, plak refwadisman dlo, reflektè mezire presizyon, griyaj ak lòt pati estriktirèl seramik.
Avantaj
Rezistans tanperati ki wo: itilizasyon nòmal nan 1800 ℃
Segondè konduktiviti tèmik: ekivalan a materyèl grafit
Segondè dite: dite dezyèm sèlman nan dyaman, nitrure bor
Rezistans korozyon: asid fò ak alkali pa gen okenn korozyon nan li, rezistans korozyon an pi bon pase carbure tengstèn ak alumina.
Limyè pwa: dansite ki ba, fèmen nan aliminyòm
Pa gen deformation: ba koyefisyan ekspansyon tèmik
Rezistans chòk tèmik: li ka kenbe tèt ak chanjman tanperati byen file, reziste chòk tèmik, epi li gen pèfòmans ki estab.
Silisyòm carbure konpayi asirans tankou sic grave konpayi asirans, ICP grave susceptor, yo lajman ki itilize nan semi-conducteurs CVD, vakyòm sputtering elatriye Nou ka bay kliyan ak transpòtè wafer Customized nan Silisyòm ak materyèl carbure Silisyòm satisfè aplikasyon diferan.
Avantaj
| Pwopriyete | Valè | Metòd |
| Dansite | 3.21 g/cc | Lavabo-flote ak dimansyon |
| Chalè espesifik | 0.66 J/g °K | Enpulsyon lazè flash |
| Fòs flexural | 450 MPa560 MPa | 4 pwen pliye, RT4 pwen pliye, 1300 ° |
| Severite frakti | 2.94 MPa m1/2 | Microindentation |
| Dite | 2800 | Vicker a, 500g chaj |
| Modil elastik Modil Young la | 450 GPa 430 GPa | 4 pt bend, RT4 pt bend, 1300 °C |
| Gwosè grenn | 2-10 µm | SEM |
Konpayi Profile
WeiTai Enèji Teknoloji co, Ltd se yon founisè dirijan nan seramik semi-conducteurs avanse ak manifakti a sèlman nan Lachin ki ka ansanm bay segondè-pite Silisyòm carbure seramik (espesyalman SiC a rkristalize) ak kouch CVD SiC. Anplis de sa, konpayi nou an angaje tou nan jaden seramik tankou alumina, nitrure aliminyòm, zirkonya, ak nitrure Silisyòm, elatriye.
Pwodwi prensipal nou yo ki gen ladan: Silisyòm carbure grave disk, Silisyòm carbure bato remorquage, Silisyòm carbure wafer bato (Photovoltaic & Semiconductor), Silisyòm carbure tib founo, Silisyòm carbure cantilever pagay, Silisyòm carbure mandrin, Silisyòm carbure travès, osi byen ke CVD SiC kouch la ak TaC kouch. Pwodwi yo sitou itilize nan endistri semi-conducteurs ak fotovoltaik, tankou ekipman pou kwasans kristal, epitaksi, grave, anbalaj, kouch ak founo difizyon, elatriye.
Transpò
