Anti-oksidasyon segondè pite SiC kouvwi plato MOCVD

Deskripsyon kout:

Semicera Enèji Teknoloji co, Ltd se yon founisè dirijan ki espesyalize nan wafer ak avanse semiconductor consommables.Nou dedye a bay bon jan kalite, fyab, ak pwodwi inovatè nan fabrikasyon semi-conducteurs,endistri fotovoltaikak lòt domèn ki gen rapò.

Liy pwodwi nou an gen ladan pwodwi SiC / TaC kouvwi grafit ak pwodwi seramik, ki kouvri divès kalite materyèl tankou carbure Silisyòm, nitrure Silisyòm, ak oksid aliminyòm ak elatriye.

Kòm yon founisè ou fè konfyans, nou konprann enpòtans ki genyen nan consommables nan pwosesis fabrikasyon an, epi nou angaje nan fournir pwodwi ki satisfè pi wo estanda kalite yo satisfè bezwen kliyan nou yo.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Deskripsyon

Konpayi nou an baySiC kouchsèvis pwosesis pa metòd CVD sou sifas la nan grafit, seramik ak lòt materyèl, se konsa ke gaz espesyal ki gen kabòn ak Silisyòm reyaji nan tanperati ki wo pou jwenn pite segondè molekil SiC, molekil depoze sou sifas la nan materyèl yo kouvwi, fòme yonSiC kouch pwoteksyon.

Karakteristik prensipal yo

1. Rezistans oksidasyon tanperati ki wo:
rezistans oksidasyon an toujou trè bon lè tanperati a wo tankou 1600 C.
2. Segondè pite: fèt pa depo vapè chimik anba kondisyon klorinasyon tanperati ki wo.
3. Rezistans ewozyon: segondè dite, sifas kontra enfòmèl ant, patikil amann.
4. Rezistans korozyon: asid, alkali, sèl ak reyaktif òganik.

Espesifikasyon prensipal nan kouch CVD-SIC

Pwopriyete SiC-CVD
Crystal Estrikti	FCC β faz
Dansite	g/cm³	3.21
Dite	Vickers dite	2500
Gwosè grenn	μm	2 ~ 10
Pite chimik	%	99.99995
Kapasite Chalè	J·kg-1 ·K-1	640
Tanperati sublimasyon	℃	2700
Flèsural fòs	MPa (RT 4-pwen)	415
Modil Young la	Gpa (4pt koube, 1300 ℃)	430
Ekspansyon tèmik (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivite tèmik	(W/mK)	300