Segondè tanperati ki reziste SiC konbine avèk tablo koule Si3N4

Segondè tanperati rezistan SiC konbine avèk tablo koule Si3N4 Prezantasyon Imaj

Deskripsyon kout:

WeiTai Enèji Teknoloji co, Ltd se yon founisè dirijan ki espesyalize nan wafer ak avanse semiconductor consommables.Nou dedye a bay bon jan kalite, fyab, ak pwodwi inovatè nan fabrikasyon semi-conducteurs, endistri fotovoltaik ak lòt domèn ki gen rapò.

Liy pwodwi nou an gen ladan pwodwi SiC / TaC kouvwi grafit ak pwodwi seramik, ki kouvri divès kalite materyèl tankou carbure Silisyòm, nitrure Silisyòm, ak oksid aliminyòm ak elatriye.

Kòm yon founisè ou fè konfyans, nou konprann enpòtans ki genyen nan consommables nan pwosesis fabrikasyon an, epi nou angaje nan fournir pwodwi ki satisfè pi wo estanda kalite yo satisfè bezwen kliyan nou yo.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Silisyòm nitrure konbine avèk silisyòm carbure au gen karakteristik sa yo nan fòs tanperati ki wo, bon rezistans chòk tèmik, deformation fasil, rezistans oksidasyon, rezistans korozyon, bon konduktiviti tèmik ak sou sa.

Endikatè pèfòmans prensipal yo

Atik	Endèks brik dife	Kiln spesifikasyon	Endèks pwodwi ki gen fòm
Aparan porosite（%）	<16	<16	<14
Dansite esansyèl（g/cm3）	2 2.65	2 2.65	2 2.68
Fòs konpresyon nan tanperati chanm（MPa）	2 160	2 170	2 180
Fòs koube nan tanperati chanm（1400X：） MPa	240	245	245
Segondè tanperati koube fòs（1400r） MPa	250	250	250
Koefisyan ekspansyon tèmik（110CTC）xioVC	<4.18	<4.18	<4.18
Konduktivite tèmik（1100C）	216	216	216
Refractories（°C ）	1800	1800	1800
0.2 MPa Tanperati ralantisman anba chaj（X：）	1600	1600	> 1700
Maksimòm tanperati opere（°C）	1550	1550	1550

Pwodwi yo lajman ki itilize nan wou fanm k'ap pile seramik, pwodwi aliminyòm segondè, boul aliminyòm porselèn, au endistriyèl, elektwonik seramik, segondè vòltaj elektrik porselèn, sanitè porselèn, chak jou porselèn, alyaj nitrure ak seramik kim ak lòt endistri yo.