Kasèt wafer

Deskripsyon kout:

Kasèt wafer- Precision-enjenieri pou manyen ak depo san danje nan gauf semi-conducteurs, asire pwoteksyon optimal ak pwòpte pandan tout pwosesis fabrikasyon an.


Pwodwi detay

Tags pwodwi

Semizè aKasèt waferse yon eleman enpòtan nan pwosesis fabrikasyon semi-conducteurs, ki fèt pou byen kenbe ak transpòte delika semi-conducteurs. LaKasèt waferbay pwoteksyon eksepsyonèl, asire ke chak wafer yo kenbe gratis nan kontaminan ak domaj fizik pandan manyen, depo, ak transpò.

Konstwi ak pite segondè, materyèl ki reziste chimik, Semicera laKasèt wafergaranti nivo ki pi wo nan pwòpte ak rezistans, esansyèl pou kenbe entegrite nan wafers nan chak etap nan pwodiksyon an. Jeni presizyon nan kasèt sa yo pèmèt pou entegrasyon san pwoblèm ak sistèm manyen otomatik, minimize risk pou kontaminasyon ak domaj mekanik.

Desen an nanKasèt wafersipòte tou pi bon koule lè ak kontwòl tanperati, ki enpòtan anpil pou pwosesis ki mande kondisyon espesifik nan anviwònman an. Kit itilize nan chanm pwòp oswa pandan pwosesis tèmik, Semicera laKasèt waferse Enjenieri pou satisfè demand yo sevè nan endistri a semi-conducteurs, bay pèfòmans serye ak konsistan amelyore efikasite fabrikasyon ak bon jan kalite pwodwi.

Atik

Pwodiksyon

Rechèch

Enbesil

Crystal Paramèt

Politip

4H

Erè oryantasyon sifas

<11-20 > 4±0.15°

Paramèt elektrik

Dopan

n-tip Azòt

Rezistivite

0.015-0.025ohm·cm

Paramèt mekanik

Dyamèt

150.0±0.2mm

Epesè

350±25 μm

Oryantasyon prensipal plat

[1-100]±5°

Longè plat prensipal

47.5±1.5mm

Segondè plat

Okenn

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

Bow

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Defòme

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Devan (Si-fas) brutality (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Estrikti

Dansite Micropipe

<1 chak/cm2

<10 chak/cm2

<15 chak/cm2

Enpurte metal

≤5E10atòm/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Kalite devan

Devan

Si

Sifas fini

Si-fas CMP

Patikil

≤60ea / wafer (size≥0.3μm)

NA

Rayures

≤5ea/mm. Kimilatif longè ≤Dyamèt

Kimilatif longè≤2 * Dyamèt

NA

Kale zoranj / twou / tach / striasyon / fant / kontaminasyon

Okenn

NA

Edge chips / endentasyon / ka zo kase / plak hex

Okenn

Zòn politip yo

Okenn

Zòn kimilatif ≤20%

Zòn kimilatif ≤30%

Devan lazè make

Okenn

Retounen Kalite

Retounen fini

C-fas CMP

Rayures

≤5ea/mm, Kimilatif longè≤2 * Dyamèt

NA

Defo nan do (chips kwen / endentasyon)

Okenn

Retounen brutality

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

Retounen make lazè

1 mm (soti nan kwen anwo)

Edge

Edge

Chanfrein

Anbalaj

Anbalaj

Epi-pare ak anbalaj vakyòm

Anbalaj kasèt milti-wafer

*Nòt: "NA" vle di pa gen okenn demann. Atik ki pa mansyone yo ka refere a SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC wafers

  • Previous:
  • Pwochen: