Semicera prezante aWafer kasèt Carrier, yon solisyon kritik pou manyen an sekirite ak efikas nan gauf semi-conducteurs. Konpayi asirans sa a fèt pou satisfè egzijans sevè endistri semi-conducteurs, pou asire pwoteksyon ak entegrite wafers ou yo pandan tout pwosesis fabrikasyon an.
Karakteristik kle:
•Konstriksyon solid:LaWafer kasèt Carrierse bati soti nan bon jan kalite, materyèl dirab ki kenbe tèt ak strik nan anviwònman semi-conducteurs, bay pwoteksyon serye kont kontaminasyon ak domaj fizik.
•Aliyman egzak:Fèt pou aliyman wafer egzak, konpayi asirans sa a asire ke wafers yo byen kenbe an plas, minimize risk pou yo pa aliyman oswa domaj pandan transpò.
•Fasil manyen:Èrgonomik ki fèt pou fasil pou itilize, konpayi asirans lan senplifye pwosesis la chaje ak dechaje, amelyore efikasite workflow nan anviwònman sal pwòp.
•Konpatibilite:Konpatib ak yon pakèt gwosè ak kalite wafer, ki fè li versatile pou divès kalite bezwen fabrikasyon semi-conducteurs.
Eksperyans pwoteksyon san parèy ak konvenyans ak Semicera aWafer kasèt Carrier. Konpayi asirans nou an fèt pou satisfè estanda ki pi wo nan fabrikasyon semi-conducteurs, asire ke wafers ou yo rete nan kondisyon primitif depi nan kòmansman rive nan fini. Fè Semicera konfyans pou li bay bon jan kalite ak fyab ou bezwen pou pwosesis ki pi enpòtan ou yo.
| Atik | Pwodiksyon | Rechèch | Enbesil |
| Crystal Paramèt | |||
| Politip | 4H | ||
| Erè oryantasyon sifas | <11-20 > 4±0.15° | ||
| Paramèt elektrik | |||
| Dopan | n-tip Azòt | ||
| Rezistivite | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Paramèt mekanik | |||
| Dyamèt | 150.0±0.2mm | ||
| Epesè | 350±25 μm | ||
| Oryantasyon prensipal plat | [1-100]±5° | ||
| Longè plat prensipal | 47.5±1.5mm | ||
| Segondè plat | Okenn | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| Bow | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Defòme | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Devan (Si-fas) brutality (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Estrikti | |||
| Dansite Micropipe | <1 chak/cm2 | <10 chak/cm2 | <15 chak/cm2 |
| Enpurte metal | ≤5E10atòm/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kalite devan | |||
| Devan | Si | ||
| Sifas fini | Si-fas CMP | ||
| Patikil | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5ea/mm. Kimilatif longè ≤Dyamèt | Kimilatif longè≤2 * Dyamèt | NA |
| Kale zoranj / twou / tach / striasyon / fant / kontaminasyon | Okenn | NA | |
| Edge chips / endentasyon / ka zo kase / plak hex | Okenn | ||
| Zòn politip yo | Okenn | Zòn kimilatif ≤20% | Zòn kimilatif ≤30% |
| Devan lazè make | Okenn | ||
| Retounen Kalite | |||
| Retounen fini | C-fas CMP | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, Kimilatif longè≤2 * Dyamèt | NA | |
| Defo nan do (chips kwen / endentasyon) | Okenn | ||
| Retounen brutality | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Retounen make lazè | 1 mm (soti nan kwen anwo) | ||
| Edge | |||
| Edge | Chanfrein | ||
| Anbalaj | |||
| Anbalaj | Epi-pare ak anbalaj vakyòm Anbalaj kasèt milti-wafer | ||
| *Nòt: "NA" vle di pa gen okenn demann. Atik ki pa mansyone yo ka refere a SEMI-STD. | |||
