TaC kouchse yon kouch materyèl enpòtan, ki anjeneral prepare sou yon baz grafit pa teknoloji metal òganik depo chimik vapè (MOCVD). Kouch sa a gen pwopriyete ekselan, tankou dite segondè, rezistans mete ekselan, rezistans tanperati ki wo ak estabilite chimik, epi li apwopriye pou divès kalite aplikasyon jeni wo-demann.
Teknoloji MOCVD se yon teknoloji kwasans fim mens souvan itilize ki depoze fim konpoze vle a sou sifas substra a lè li reyaji metal òganik précurseurs ak gaz reyaktif nan tanperati ki wo. Lè w ap prepareTaC kouch, chwazi apwopriye metal òganik précurseurs ak sous kabòn, kontwole kondisyon reyaksyon ak paramèt depo, yon fim inifòm ak dans TaC ka depoze sou yon baz grafit.
Semicera bay penti espesyalize carbure Tantal (TaC) pou divès konpozan ak transpòtè.Pwosesis kouch dirijan Semicera pèmèt kouch carbure Tantal (TaC) reyalize pite segondè, estabilite tanperati ki wo ak tolerans chimik segondè, amelyore kalite pwodwi nan kristal SIC / GAN ak kouch EPI (Graphite kouvwi TaC susceptor), ak pwolonje lavi a nan eleman kle raktor yo. Itilizasyon Tantal carbure TaC kouch se rezoud pwoblèm nan kwen ak amelyore kalite kwasans kristal, ak Semicera te zouti rezoud teknoloji a kouch carbure Tantal (CVD), rive nan nivo entènasyonal avanse.
Apre ane nan devlopman, Semicera te konkeri teknoloji a nanCVD TaCak efò yo jwenti nan depatman an R & D. Defo yo fasil pou rive nan pwosesis kwasans lan nan gaufre SiC, men apre yo fin itilizeTaC, diferans lan enpòtan. Anba la a se yon konparezon nan wafers ak ak san TaC, osi byen ke pati Simicera 'pou kwasans yon sèl kristal.
ak ak san TaC
Apre w fin itilize TaC (adwat)
Anplis, Semicera aTaC-kouvwi pwodwi yomontre yon lavi sèvis pi long ak pi gwo rezistans tanperati-wo konpare akSiC kouch.Mezi laboratwa yo te demontre ke nouTaC kouchka toujou fè nan tanperati jiska 2300 degre Sèlsiyis pou peryòd pwolonje. Anba a se kèk egzanp echantiyon nou yo:
