Semicera bay penti espesyalize carbure Tantal (TaC) pou divès konpozan ak transpòtè.Pwosesis kouch dirijan Semicera pèmèt kouch carbure Tantal (TaC) reyalize pite segondè, estabilite tanperati ki wo ak tolerans chimik segondè, amelyore kalite pwodwi nan kristal SIC / GAN ak kouch EPI (Graphite kouvwi TaC susceptor), ak pwolonje lavi a nan eleman kle raktor yo. Itilizasyon Tantal carbure TaC kouch se rezoud pwoblèm nan kwen ak amelyore kalite kwasans kristal, ak Semicera te zouti rezoud teknoloji a kouch carbure Tantal (CVD), rive nan nivo entènasyonal avanse.
Silisyòm carbure (SiC) se yon materyèl kle nan twazyèm jenerasyon semi-conducteurs, men pousantaj sede li te yon faktè limite pou kwasans endistri. Apre tès vaste nan laboratwa Semicera yo, yo te jwenn ke TaC flite ak sintered manke pite ki nesesè ak inifòmite. Kontrèman, pwosesis CVD la asire yon nivo pite 5 PPM ak inifòmite ekselan. Itilizasyon CVD TaC siyifikativman amelyore pousantaj sede silisyòm carbure. Nou akeyi diskisyonTaC kouvwi grafit twa-segman bag pou redwi plis depans SiC wafers.
Apre ane nan devlopman, Semicera te konkeri teknoloji a nanCVD TaCak efò yo ansanm nan depatman R & D. Defo yo fasil pou rive nan pwosesis kwasans lan nan gaufre SiC, men apre yo fin itilizeTaC, diferans lan enpòtan. Anba la a se yon konparezon nan wafers ak ak san TaC, osi byen ke pati Simicera 'pou kwasans yon sèl kristal.
ak ak san TaC
Apre w fin itilize TaC (adwat)
Anplis, Semicera aTaC-kouvwi pwodwi yomontre yon lavi sèvis pi long ak pi gwo rezistans tanperati-wo konpare akSiC kouch.Mezi laboratwa yo te demontre ke nouTaC kouchka toujou fè nan tanperati jiska 2300 degre Sèlsiyis pou peryòd pwolonje. Anba a se kèk egzanp echantiyon nou yo:
