Silisyòm nitrure kole Silisyòm carbure
Si3N4 lye SiC seramik materyèl refractory, melanje ak segondè pi bon kalite SIC poud amann ak poud Silisyòm, apre kou Distribisyon glise, reyaksyon sintered anba 1400 ~ 1500 ° C.Pandan kou a SINTERING, ranpli segondè Azòt pi bon kalite nan gwo founo dife a, Lè sa a, Silisyòm nan pral reyaji ak Azòt ak jenere Si3N4, Se konsa, Si3N4 estokaj materyèl SiC konpoze de nitrure Silisyòm (23%) ak carbure Silisyòm (75%) kòm prensipal materyèl bwit. , melanje ak materyèl òganik, ak fòm pa melanj, ekstrizyon oswa vide, Lè sa a, fè apre siye ak nitwojèn.
Karakteristik ak avantaj:
1.Htolerans tanperati wo
2.High konduktiviti tèmik ak rezistans chòk
3.High fòs mekanik ak rezistans fwotman
4.Excellent efikasite enèji ak rezistans korozyon
Nou bay bon jan kalite segondè ak presizyon machin NSiC konpozan seramik ki trete pa
1.Slip Distribisyon
2.Extruding
3.Uni Axial peze
4.Izostatik peze
Fich done materyèl
| > Konpozisyon chimik | Sic | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| Gratis Si | 0% | |
| Dansite esansyèl (g/cm3) | 2.70～2.80 | |
| Porosite aparan (%) | 12～15 | |
| Fòs koube nan 20 ℃ (MPa) | 180～190 | |
| Fòs koube nan 1200 ℃ (MPa) | 207 | |
| Fòs koube nan 1350 ℃ (MPa) | 210 | |
| Fòs konpresyon nan 20 ℃ (MPa) | 580 | |
| Konduktivite tèmik nan 1200 ℃ (w/mk) | 19.6 | |
| Koyefisyan ekspansyon tèmik nan 1200 ℃ (x 10-6/C) | 4.70 | |
| Rezistans chòk tèmik | Ekselan | |
| Max.tanperati (℃) | 1600 | |
