Silisyòm nitrure kole Silisyòm carbure
Si3N4 lye SiC seramik materyèl refractory, melanje ak segondè pi bon kalite SIC poud amann ak poud Silisyòm, apre kou Distribisyon glise, reyaksyon sintered anba 1400 ~ 1500 ° C.Pandan kou a SINTERING, ranpli segondè Azòt pi bon kalite nan gwo founo dife a, Lè sa a, Silisyòm nan pral reyaji ak Azòt ak jenere Si3N4, Se konsa, Si3N4 estokaj materyèl SiC konpoze de nitrure Silisyòm (23%) ak carbure Silisyòm (75%) kòm prensipal materyèl bwit. , melanje ak materyèl òganik, ak fòm pa melanj, ekstrizyon oswa vide, Lè sa a, fè apre siye ak nitwojèn.
Karakteristik ak avantaj:
1.Htolerans tanperati wo
2.High konduktiviti tèmik ak rezistans chòk
3.High fòs mekanik ak rezistans fwotman
4.Excellent efikasite enèji ak rezistans korozyon
Nou bay bon jan kalite segondè ak presizyon machin NSiC konpozan seramik ki trete pa
1.Slip Distribisyon
2.Extruding
3.Uni Axial peze
4.Izostatik peze
Fich done materyèl
| > Konpozisyon chimik | Sic | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| Gratis Si | 0% | |
| Dansite esansyèl (g/cm3) | 2.70～2.80 | |
| Porosite aparan (%) | 12～15 | |
| Fòs koube nan 20 ℃ (MPa) | 180～190 | |
| Fòs koube nan 1200 ℃ (MPa) | 207 | |
| Fòs koube nan 1350 ℃ (MPa) | 210 | |
| Fòs konpresyon nan 20 ℃ (MPa) | 580 | |
| Konduktivite tèmik nan 1200 ℃ (w/mk) | 19.6 | |
| Koyefisyan ekspansyon tèmik nan 1200 ℃ (x 10-6/C) | 4.70 | |
| Rezistans chòk tèmik | Ekselan | |
| Max.tanperati (℃) | 1600 | |
WeiTai Enèji Teknoloji co, Ltd se yon founisè dirijan nan seramik semi-conducteurs avanse ak manifakti a sèlman nan Lachin ki ka ansanm bay segondè-pite Silisyòm carbure seramik (espesyalman SiC a rkristalize) ak kouch CVD SiC.Anplis de sa, konpayi nou an angaje tou nan jaden seramik tankou alumina, nitrure aliminyòm, zirkonya, ak nitrure Silisyòm, elatriye.
Pwodwi prensipal nou yo ki gen ladan: Silisyòm carbure grave disk, Silisyòm carbure bato remorquage, Silisyòm carbure wafer bato (Photovoltaic & Semiconductor), Silisyòm carbure tib founo, Silisyòm carbure cantilever pagay, Silisyòm carbure mandrin, travès carbure Silisyòm, osi byen ke CVD SiC kouch la ak TaC kouch.Pwodwi yo sitou itilize nan endistri semi-conducteurs ak fotovoltaik, tankou ekipman pou kwasans kristal, epitaksi, grave, anbalaj, kouch ak founo difizyon, elatriye.
Konpayi nou an gen ekipman pwodiksyon konplè tankou bòdi, sintering, pwosesis, ekipman kouch, elatriye, ki ka ranpli tout lyen ki nesesè nan pwodiksyon pwodwi epi yo gen pi wo kontwòlabilite nan bon jan kalite pwodwi;Plan pwodiksyon pi bon an ka chwazi selon bezwen pwodwi a, sa ki lakòz pi ba pri ak bay kliyan pwodwi pi konpetitif;Nou ka pwograme pwodiksyon fleksib ak efikasite ki baze sou kondisyon livrezon lòd ak an konjonksyon avèk sistèm jesyon lòd sou entènèt, bay kliyan yo pi vit ak plis garanti tan livrezon.
