Silisyòm Carbide Wafer Bato

Deskripsyon kout:

Silisyòm Carbide Wafer Bato Semicera a fèt pou fè fas ak kondisyon tanperati ki wo ak presizyon segondè e li se youn nan eleman endispansab nan pwosesis fabrikasyon semi-conducteurs. Sèvi ak pwopriyete siperyè Silisyòm Carbide (SiC), semicera bay ekselan solisyon chaje wafer pou endistri semi-conducteurs. Konsepsyon inovatè Semicera a fè pwodwi sa a apwopriye pou yon varyete anviwònman fabrikasyon konplèks, siyifikativman amelyore efikasite pwodiksyon an.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Semizè aSilisyòm Carbide Wafer Batopa sèlman fè byen nan pwosesis fabrikasyon semi-conducteurs, men li ka itilize tou nan lòt anviwònman endistriyèl wo-tanperati ak piman bouk. Kit itilize poutranspòtè waferoswa sele mekanik, pwodwi semicera yo te montre rezistans ekselan ak fyab, bay kliyan solisyon efikas ak ki estab.

Semicera pran angajman pou l baysegondè-pèfòmans pwodwi seramikbay kliyan atravè mond lan. Avèk pèfòmans ekselan li yo ak konbinezon materyèl,Silisyòm Carbide Wafer Batote vin tounen yon chwa ideyal nan fabrikasyon semi-conducteurs, ede kliyan reyalize pwodiksyon efikas anba divès kondisyon travay konplèks.