Silisyòm carbure seramik glas SIC seramik glas pwosesis pri

Deskripsyon kout:

WeiTai EnèjiTeknoloji co, Ltd.se yon founisè dirijan ki espesyalize nan wafer ak avanse semiconductor consommables.Nou dedye a bay bon jan kalite, fyab, ak pwodwi inovatè nan fabrikasyon semi-conducteurs,endistri fotovoltaikak lòt domèn ki gen rapò.

Liy pwodwi nou an gen ladan pwodwi SiC / TaC kouvwi grafit ak pwodwi seramik, ki kouvri divès kalite materyèl tankou carbure Silisyòm, nitrure Silisyòm, ak oksid aliminyòm ak elatriye.

Kòm yon founisè ou fè konfyans, nou konprann enpòtans ki genyen nan consommables nan pwosesis fabrikasyon an, epi nou angaje nan livrezon pwodwi ki satisfè pi wo estanda kalite yo satisfè bezwen kliyan nou yo.


Pwodwi detay

Tags pwodwi

Deskripsyon

Dite nan pati silisyòm carbure seramik estriktirèl se dezyèm sèlman nan dyaman, Vickers dite 2500;Kòm yon materyèl super difisil ak frajil, li trè difisil pou trete pati estriktirèl carbure Silisyòm.Wei Tai enèji teknoloji adopte CNC D' sant.Nan pwosesis la sikilè fanm k'ap pile anndan ak ekstèn nan pati estriktirèl Silisyòm carbure seramik, tolerans dyamèt ka kontwole nan ± 0.005mm ak wonn ± 0.005mm.Precision usinage Silisyòm carbure estrikti seramik la gen sifas lis, pa gen okenn burr, pa gen okenn porosite, pa gen okenn krak, brutality nan Ra0.1μm.

Silisyòm carbure glas, SIC glas, silikon carbure glas seramik, ki lejè glas SiC glas kò vid, Wei Tai enèji teknoloji Silisyòm carbure glas, SIC glas, SiC glas, silikon carbure glas seramik, ki lejè glas SIC glas dansite kò vid ≥3.10g/cm3 .

cde792f65e16f74683cfc5db4b65420

0e689d00e04d8ba7d6ff2c10553925a

6c8d09f1fdc9351a3ae39041a3e6742

1. Sifas gwo tablo a wo ak lis
Wei Tai Enèji Teknoloji vakyòm adsorption platfòm gwosè tablo jiska 1950 * 3950mm (pi lwen pase gwosè sa a ka splicing).Gen plat la ak devyasyon, se plat la jeneralman kontwole nan 25 fil, jiska 10 fil;Valè defleksyon an se mwens pase 10 fil ak 30 kg fòs siplemantè.
2. Pwa limyè pote pwa lou
Wei Tai Energy Technology vakyòm adsorption platfòm itilize yon estrikti siwo myèl aliminyòm prim, tout lè l sèvi avèk materyèl alyaj aliminyòm, ak yon dansite alantou 25-35kg pou chak mèt kare.Chaj-pote 30kg san deformation.
3. Gwo aspirasyon inifòm aspirasyon
Konsepsyon optimize Wei Tai Energy Technology vakyòm adsorption platfòm ka pa sèlman asire pèfòmans platfòm la pa afekte, men tou, fè aspirasyon nenpòt pozisyon platfòm la gwo ak inifòm.
4. Rezistans fwotman
Wei Tai Energy Technology vakyòm adsorption platfòm sifas gen yon varyete de pwosesis tretman, ki gen ladan fluorokarbon PVDF pousye, oksidasyon pozitif ak oksidasyon difisil, ki chwazi selon bezwen aktyèl yo.Pwosesis oksidasyon difisil la se grate ak mete rezistan, ak dite sifas li yo ka rive nan HV500-700.
5. Personnalisation kliyan
Wei Tai Energy Technology vakyòm adsorption platfòm ka Customized selon kondisyon kliyan, si li se gwosè platfòm, ouvèti ak distans, zòn pou aspirasyon, dyamèt aspirasyon, kantite pò pou aspirasyon, mòd koòdone oswa nenpòt patisyon, avèk oswa san aspirasyon.

Figi-N6-HERSCHEL-Primary-Reflector-design-segments-with-oswa-without-with-oswa-without-I-F_Q640(1)

  • Previous:
  • Pwochen: