Tèt douch SiC

Deskripsyon kout:

Tèt douch SiC Semicera a se yon pwodwi pèfòmans segondè ki fèt pou aplikasyon pou depo chimik vapè (CVD), lè l sèvi avèk bon jan kalite kouch carbure Silisyòm pou asire pèfòmans ekselan nan kondisyon ekstrèm. Tèt douch sa a se ideyal pou trete kwatz ak gaufret, bay yon solisyon ki estab ak efikas pou fabrikasyon semi-conducteurs.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Poukisa se kouch Carbide Silisyòm?

Semicera te lanse inovatè aTèt douch SiC, ki bay sipò serye pou pwosesis modèn semi-conducteurs manifakti. Kouch inik carbure Silisyòm li fè tèt douch la trè dirab nan tanperati ki wo ak anviwònman korozivite, asire depo materyèl inifòm nan pwosesis CVD la.

Lè w ap trete kwatz-wo pite akwafers, desen an nanTèt douch SiCka efektivman amelyore efikasite depo epi redwi pousantaj defo. Sa a pa sèlman optimize pwosesis pwodiksyon an, men tou, amelyore kalite pwodwi final la, fè li yon chwa ideyal pou endistri semi-conducteurs.

Anplis de sa, tèt la douch se konpatib akTAC kouchteknoloji, plis elaji ranje aplikasyon li yo. Ekip R&D Semicera a angaje nan inovasyon kontinyèl pou asire lidèchip teknolojik ak compétitivité sou mache SiC Shower Head.

Chwazi Semicera aTèt douch SiC, w ap jwenn yon solisyon efikas ak serye pou ede w reyalize pi bon efè depo nan pwosesis CVD la. Semicera toujou ensiste pou bay kliyan pwodwi semi-kondiktè-wo kalite pou ankouraje devlopman kontinyèl ak inovasyon endistri a.