SiC Seramik Seal Pati

Deskripsyon kout:

SiC Ceramic Seal Part Semicera a fèt pou endistri manifakti semi-conducteurs, bay ekselan pèfòmans sele ak rezistans. Li itilize materyèl-wo kalite Silisyòm Carbide (SiC), konbine avèk Alumina (Al2O3) ak Nitrure Silisyòm (Si3N4), pou asire pèfòmans serye nan tanperati ki wo ak anviwònman piman bouk, epi li lajman ki itilize nan bato wafer ak transpòtè wafer.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Poukisa se kouch Carbide Silisyòm?

Semicera a devlope pwòp tèt ouSiC Seramik Seal Patifèt pou satisfè estanda ki wo nan manifakti semi-conducteurs modèn. Pati sele sa a sèvi ak pèfòmans-wocarbure Silisyòm (SiC)materyèl ki gen ekselan rezistans mete ak estabilite chimik asire ekselan pèfòmans sele nan anviwònman ekstrèm. Konbine akoksid aliminyòm (Al2O3)epinitrure Silisyòm (Si3N4), pati sa a fè byen nan aplikasyon pou wo-tanperati epi li ka efektivman anpeche gaz ak flit likid.

Lè yo itilize ansanm ak ekipman tankoubato waferak transpòtè wafer, Semicera aSiC Seramik Seal Patika siyifikativman amelyore efikasite ak fyab nan sistèm an jeneral. Rezistans siperyè tanperati li yo ak rezistans korozyon fè li yon eleman endispansab nan manifakti segondè-presizyon semi-conducteurs, asire estabilite ak sekirite pandan pwosesis pwodiksyon an.

Anplis de sa, konsepsyon pati sa a sele te ak anpil atansyon optimize asire konpatibilite ak yon varyete de ekipman, ki fè li fasil yo sèvi ak nan liy pwodiksyon diferan. Ekip R&D Semicera a ap kontinye travay di pou ankouraje inovasyon teknolojik pou asire compétitivité pwodwi li yo nan endistri a.

Chwazi Semicera aSiC Seramik Seal Pati, ou pral jwenn yon konbinezon de pèfòmans segondè ak fyab, ede ou reyalize pwosesis pwodiksyon pi efikas ak bon jan kalite pwodwi ekselan. Semicera toujou angaje nan bay kliyan pi bon solisyon semi-conducteurs ak sèvis pou ankouraje devlopman kontinyèl ak pwogrè endistri a.

Avantaj nou, poukisa chwazi Semicera?

✓ Bon jan kalite siperyè nan mache Lachin

✓Bon sèvis toujou pou ou, 7*24 èdtan

✓Dat livrezon kout

✓Ti MOQ akeyi ak aksepte

✓Sèvis koutim

Aplikasyon

Epitaksi Kwasans Susceptor

Silisyòm / Silisyòm carbure wafers bezwen ale nan plizyè pwosesis yo dwe itilize nan aparèy elektwonik. Yon pwosesis enpòtan se Silisyòm/sic epitaksi, nan ki Silisyòm/sic wafers yo pote sou yon baz grafit. Avantaj espesyal nan baz grafit carbure silikon Semicera a gen ladan pite trè wo, kouch inifòm, ak lavi sèvis trè long. Yo menm tou yo gen gwo rezistans chimik ak estabilite tèmik.

Silisyòm Epitaxy Susceptor

Silisyòm Carbide Epitaxy Susceptor

Dirije Chip Pwodiksyon

Pandan gwo kouch raktor MOCVD a, baz planetè oswa konpayi asirans lan deplase wafer substra a. Pèfòmans nan materyèl debaz la gen yon gwo enfliyans sou bon jan kalite a kouch, ki an vire afekte to a bouyon nan chip la. Silisyòm carbure-kouvwi baz Semicera a ogmante efikasite nan fabrikasyon nan-wo kalite ki ap dirije wafers ak minimize devyasyon longèdonn. Nou bay tou konpozan grafit adisyonèl pou tout réacteurs MOCVD ki itilize kounye a. Nou ka kouvri prèske nenpòt eleman ak yon kouch carbure Silisyòm, menm si dyamèt la eleman se jiska 1.5M, nou ka toujou rad ak carbure Silisyòm.

Ki ap dirije epitaksi susceptor

Semiconductor Field, Pwosesis Difizyon Oksidasyon, elatriye.

Nan pwosesis semi-conducteurs, pwosesis ekspansyon oksidasyon an mande pou pite pwodwi segondè, epi nan Semicera nou ofri sèvis koutim ak CVD kouch pou majorite pati Silisyòm carbure.

Foto sa a montre sispansyon carbure Silisyòm ki graj trete nan Semicea ak tib la founo carbure Silisyòm ki netwaye nan 100.0-nivosan pousyèchanm. Travayè nou yo ap travay anvan kouch. Pite nan carbure Silisyòm nou an ka rive nan 99.99%, ak pite nan kouch sic pi gran pase 99.99995%.