Semiconductor Silisyòm carbure bra elis Silisyòm carbure cantilever gwo bout bwa

Semiconductor Silisyòm carbure bra propeller Silisyòm carbure cantilever gwo bout bwa En Imaj

Deskripsyon kout:

WeiTai EnèjiTeknoloji co, Ltd.se yon founisè dirijan ki espesyalize nan wafer ak avanse semiconductor consommables.Nou dedye a bay bon jan kalite, fyab, ak pwodwi inovatè nan fabrikasyon semi-conducteurs,endistri fotovoltaikak lòt domèn ki gen rapò.

Liy pwodwi nou an gen ladan pwodwi SiC / TaC kouvwi grafit ak pwodwi seramik, ki kouvri divès kalite materyèl tankou carbure Silisyòm, nitrure Silisyòm, ak oksid aliminyòm ak elatriye.

Kòm yon founisè ou fè konfyans, nou konprann enpòtans ki genyen nan consommables nan pwosesis fabrikasyon an, epi nou angaje nan livrezon pwodwi ki satisfè pi wo estanda kalite yo satisfè bezwen kliyan nou yo.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Aplikasyon SiC Cantilever Beam

Se SiC Cantilever Beam yo te itilize nan gwo founo dife a kouch difizyon nan endistri a fotovoltaik pou kouch monokristalin ak polikristalin Silisyòm wafers.Karakteristik li yo pèmèt li kenbe tèt ak tanperati ki wo ak korozyon, ba li yon span lavi ki long.

SiC Cantilever Beam la delivre bato SiC / bato kwatz ki pote silisyòm wafers nan tib la gwo tanperati difizyon kouch founo.

Longè SiC Cantilever Beam nou an varye ant 1,500 ak 3,500 mm.Dimansyon SiC Cantilever Beam ka tayè selon spesifikasyon kliyan an.

Weitai Enèji Teknoloji co, Ltd se yon rechèch pwofesyonèl, devlopman, pwodiksyon ak lavant de pwodwi seramik carbure Silisyòm.Depi kreyasyon li an 2016, Weitai Enèji te metrize pwosesis bòdi izostatik peze, mil pwosesis bòdi peze pwosesis bòdi grouting ak pwosesis ekstrizyon vakyòm.Konpayi nou an sèvi ak 6 liy pwodiksyon silisyòm carbure seramik sintering, gen 8 CNC, 6 presizyon fanm k'ap pile machin, kapab tou bay ou ak pwodwi silikon carbure seramik sintering, men tou, ka bay seramik carbure Silisyòm, seramik alumina, seramik nitrure aliminyòm, sèvis pwosesis seramik zirkonya. .