Semizèprezante aSemiconductor kasèt, yon zouti esansyèl pou manyen an sekirite ak efikas nan wafer nan tout pwosesis la fabrikasyon semi-conducteurs. Enjenieri ak gwo presizyon, kasèt sa a asire ke wafers ou yo estoke ak transpòte san danje, kenbe entegrite yo nan chak etap.
Pwoteksyon siperyè ak rezistansLaSemiconductor kasètsoti nan Semicera se bati yo ofri maksimòm pwoteksyon nan wafers ou yo. Konstwi soti nan materyèl gaya, ki reziste kont kontaminasyon, li pwoteje wafers ou kont domaj potansyèl ak kontaminasyon, sa ki fè li yon chwa ideyal pou anviwònman sal pwòp. Konsepsyon kasèt la minimize jenerasyon patikil epi asire ke wafer yo rete intact ak an sekirite pandan manyen ak transpò.
Konsepsyon amelyore pou pèfòmans optimalSemizè aSemiconductor kasètkarakteristik yon konsepsyon metikuleu Enjenieri ki bay aliyman wafer egzak, diminye risk pou yo move aliyman ak domaj mekanik. Fant kasèt la yo parfe espace pou kenbe chak wafer an sekirite, anpeche nenpòt mouvman ki ta ka lakòz reyur oswa lòt enpèfeksyon.
Versatility ak konpatibiliteLaSemiconductor kasètse versatile ak konpatib ak diferan gwosè wafer, fè li apwopriye pou diferan etap nan fabrikasyon semi-conducteurs. Si w ap travay ak dimansyon estanda oswa koutim wafer, kasèt sa a adapte ak bezwen ou yo, ofri fleksibilite nan pwosesis fabrikasyon ou yo.
Rasyonalize manyen ak efikasiteKi fèt ak itilizatè a nan tèt ou, laSemicera Semiconductor kasètse lejè ak fasil okipe, sa ki pèmèt pou chaje ak dechaje rapid ak efikas. Sa a konsepsyon ergonomic non sèlman ekonomize tan, men tou diminye risk pou erè imen, asire operasyon lis nan etablisman ou a.
Satisfè estanda endistri yoSemicera asire ke aSemiconductor kasètsatisfè pi wo estanda endistri yo pou bon jan kalite ak fyab. Chak kasèt sibi tès solid pou garanti ke li pèfòme toujou anba kondisyon ki egzijan nan fabrikasyon semi-conducteurs. Devouman sa a nan bon jan kalite asire ke wafers ou yo toujou pwoteje, kenbe estanda ki wo yo mande nan endistri a.
| Atik | Pwodiksyon | Rechèch | Enbesil |
| Crystal Paramèt | |||
| Politip | 4H | ||
| Erè oryantasyon sifas | <11-20 > 4±0.15° | ||
| Paramèt elektrik | |||
| Dopan | n-tip Azòt | ||
| Rezistivite | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Paramèt mekanik | |||
| Dyamèt | 150.0±0.2mm | ||
| Epesè | 350±25 μm | ||
| Oryantasyon prensipal plat | [1-100]±5° | ||
| Longè plat prensipal | 47.5±1.5mm | ||
| Segondè plat | Okenn | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| Bow | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Defòme | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Devan (Si-fas) brutality (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Estrikti | |||
| Dansite Micropipe | <1 chak/cm2 | <10 chak/cm2 | <15 chak/cm2 |
| Enpurte metal | ≤5E10atòm/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kalite devan | |||
| Devan | Si | ||
| Sifas fini | Si-fas CMP | ||
| Patikil | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5ea/mm. Kimilatif longè ≤Dyamèt | Kimilatif longè≤2 * Dyamèt | NA |
| Kale zoranj / twou / tach / striasyon / fant / kontaminasyon | Okenn | NA | |
| Edge chips / endentasyon / ka zo kase / plak hex | Okenn | ||
| Zòn politip yo | Okenn | Zòn kimilatif ≤20% | Zòn kimilatif ≤30% |
| Devan lazè make | Okenn | ||
| Retounen Kalite | |||
| Retounen fini | C-fas CMP | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, Kimilatif longè≤2 * Dyamèt | NA | |
| Defo nan do (chips kwen / endentasyon) | Okenn | ||
| Retounen brutality | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Retounen make lazè | 1 mm (soti nan kwen anwo) | ||
| Edge | |||
| Edge | Chanfrein | ||
| Anbalaj | |||
| Anbalaj | Epi-pare ak anbalaj vakyòm Anbalaj kasèt milti-wafer | ||
| *Nòt: "NA" vle di pa gen okenn demann. Atik ki pa mansyone yo ka refere a SEMI-STD. | |||
