CVD Bulk Silisyòm Carbide (SiC)
Apèsi sou lekòl la:CVDen carbure Silisyòm (SiC)se yon materyèl trè recherché nan ekipman grave plasma, aplikasyon pou pwosesis rapid tèmik (RTP), ak lòt pwosesis fabrikasyon semi-conducteurs. Pwopriyete eksepsyonèl mekanik, chimik, ak tèmik li yo fè li yon materyèl ideyal pou aplikasyon teknoloji avanse ki mande gwo presizyon ak rezistans.
Aplikasyon pou CVD Bulk SiC:Bulk SiC enpòtan anpil nan endistri semi-conducteurs, patikilyèman nan sistèm grave plasma, kote konpozan tankou bag konsantre, douch gaz, bag kwen, ak platin benefisye de rezistans eksepsyonèl korozyon SiC ak konduktiviti tèmik. Itilizasyon li pwolonje nanRTPsistèm akòz kapasite SiC pou kenbe tèt ak fluctuations tanperati rapid san degradasyon enpòtan.
Anplis ekipman grave, CVDesansyèl SiCse favorize nan founo difizyon ak pwosesis kwasans kristal, kote segondè estabilite tèmik ak rezistans nan anviwònman chimik piman bouk yo mande yo. Atribi sa yo fè SiC materyèl chwa pou aplikasyon pou gwo demann ki enplike tanperati ki wo ak gaz korozif, tankou sa yo ki gen klò ak fliyò.
Avantaj nan eleman CVD Bulk SiC:
•Gwo dansite:Avèk yon dansite 3.2 g / cm³,CVD esansyèl SiCeleman yo trè rezistan a mete ak enpak mekanik.
•Siperyè konduktivite tèmik:Ofri konduktiviti tèmik nan 300 W / m · K, esansyèl SiC jere chalè avèk efikasite, sa ki fè li ideyal pou eleman ki ekspoze a sik ekstrèm tèmik.
•Rezistans chimik eksepsyonèl:Reyaksyon ki ba nan SiC ak gaz grave, ki gen ladan klò ak pwodwi chimik ki baze sou fliyò, asire lavi eleman pwolonje.
•Rezistivite reglabl: CVD en SiC arezistivite ka Customized nan seri a nan 10⁻²-10⁴ Ω-cm, fè li adaptab a espesifik grave ak bezwen fabrikasyon semi-conducteurs.
•Koefisyan ekspansyon tèmik:Avèk yon koyefisyan ekspansyon tèmik nan 4.8 x 10⁻⁶ / °C (25-1000 °C), CVD esansyèl SiC reziste chòk tèmik, kenbe estabilite dimansyon menm pandan chofaj rapid ak sik refwadisman.
•Dirab nan Plasma:Ekspoze nan plasma ak gaz reyaktif se inevitab nan pwosesis semi-conducteurs, menCVD esansyèl SiCofri rezistans siperyè nan korozyon ak degradasyon, diminye frekans ranplasman ak depans antretyen an jeneral.
Espesifikasyon teknik:
•Dyamèt:Pi gran pase 305 mm
•Rezistans:Reglabl nan 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Dansite:3.2 g / cm³
•Kondiktivite tèmik:300 W/m·K
•Koefisyan ekspansyon tèmik:4.8 x 10⁻⁶/°C (25-1000°C)
Pèsonalizasyon ak fleksibilite:NanSemicera Semiconductor, nou konprann ke chak aplikasyon semi-conducteurs ka mande espesifikasyon diferan. Se poutèt sa konpozan SiC en CVD nou yo konplètman customizable, ak rezistivite reglabl ak dimansyon pwepare pou adapte bezwen ekipman ou yo. Si w ap optimize sistèm plasma plasma ou yo oswa w ap chèche konpozan dirab nan pwosesis RTP oswa difizyon, SiC bulk CVD nou an bay pèfòmans san parèy.
