Plato carbure Silisyòm, konnen tou kòm plato SiC, se materyèl enpòtan yo itilize pou pote Silisyòm wafers nan pwosesis fabrikasyon semi-conducteurs. Silisyòm carbure gen pwopriyete ekselan tankou dite segondè, rezistans tanperati ki wo, ak rezistans korozyon, kidonk li piti piti ranplase materyèl tradisyonèl tankou kwatz ak plato seramik nan endistri semi-conducteurs. Avèk devlopman endistri semi-conducteurs, espesyalman nan domèn 5G, aparèy optoelektwonik, elektwonik pouvwa, elatriye, demann pou plato carbure Silisyòm ap ogmante tou.
Semizèplato carbure Silisyòmitilize pwosesis SINTERING avanse pandan pwosesis fabrikasyon an pou asire gwo dansite ak fòs plato yo, ki pèmèt yo kenbe pèfòmans ki estab nan kondisyon difisil tankou tanperati ki wo ak presyon ki wo. An menm tan an, ba koyefisyan ekspansyon tèmik nan plato carbure Silisyòm ka diminye enpak chanjman tanperati sou presizyon pwosesis la.Silisyòm wafers, kidonk amelyore to a sede nan pwodwi yo.
Laplato carbure Silisyòmdevlope pa Semicera yo pa sèlman apwopriye pou pwosesis la nan tradisyonèl yoSilisyòm wafers, men tou, yo ka itilize nan envantè de silisyòm carbure wafers, ki enpòtan anpil pou devlopman nan lavni nan endistri a semi-conducteurs. Wafers carbure Silisyòm gen pi wo mobilite elèktron ak pi bon konduktiviti tèmik, sa ki ka siyifikativman amelyore efikasite nan travay ak pèfòmans nan aparèy. Se poutèt sa, demann lan pou plato carbure Silisyòm apwopriye pou pwodiksyon yo ap monte tou.
Avèk avansman kontinyèl nan teknoloji fabrikasyon semi-conducteurs, konsepsyon ak pwosesis fabrikasyon plato carbure Silisyòm yo ap optimize tou. Nan tan kap vini an, Semicera ap kontinye travay sou amelyore pèfòmans nan palèt carbure Silisyòm pou satisfè demann sou mache a pou palèt segondè-presizyon, segondè-fyab. Itilizasyon toupatou nan palèt carbure Silisyòm pa sèlman ankouraje devlopman nan pwosesis fabrikasyon semi-conducteurs, men tou, bay sipò solid pou realizasyon an nan pwodwi elektwonik ki pi efikas ak ki estab.
Tan pòs: Out-30-2024