Yon Apèsi sou lekòl la
Nan pwosesis manifakti sikwi entegre, fotolitografi se pwosesis debaz ki detèmine nivo entegrasyon sikui entegre yo. Fonksyon pwosesis sa a se pou transmèt fidèlman epi transfere enfòmasyon grafik sikwi ki soti nan mask la (yo rele tou mask la) nan substra materyèl semi-conducteurs la.
Prensip debaz pwosesis fotolitografi a se sèvi ak reyaksyon fotochimik nan fotorezist la kouvwi sou sifas la nan substra a pou anrejistre modèl la sikwi sou mask la, kidonk reyalize objektif la nan transfere modèl la sikwi entegre soti nan konsepsyon an nan substra a.
Pwosesis debaz nan fotolitografi:
Premyèman, fotorezist aplike sou sifas substra a lè l sèvi avèk yon machin kouch;
Lè sa a, yo itilize yon machin fotolitografi pou ekspoze substra a kouvwi ak fotorezist, epi yo itilize mekanis reyaksyon fotochimik pou anrejistre enfòmasyon modèl mask transmèt pa machin fotolitografi a, ranpli transmisyon fidelite, transfè ak replikasyon modèl mask sou substra a;
Finalman, yo itilize yon pwomotè pou devlope substra ki ekspoze a pou retire (oswa kenbe) fotorezist la ki sibi yon reyaksyon fotochimik apre ekspoze.
Dezyèm pwosesis fotolitografi
Yo nan lòd yo transfere modèl la sikwi ki fèt sou mask la nan wafer nan Silisyòm, transfè a dwe premye reyalize atravè yon pwosesis ekspoze, ak Lè sa a, modèl la Silisyòm dwe jwenn nan yon pwosesis grave.
Depi ekleraj la nan zòn nan pwosesis fotolitografi itilize yon sous limyè jòn nan ki materyèl fotosensib yo ensansib, li rele tou zòn nan limyè jòn.
Fotolitografi te premye itilize nan endistri enprime a e li te teknoloji prensipal la pou manifakti PCB bonè. Depi ane 1950 yo, fotolitografi te piti piti vin teknoloji endikap pou transfè modèl nan fabrikasyon IC.
Endikatè kle nan pwosesis litografi gen ladan rezolisyon, sansiblite, presizyon kouvri, pousantaj defo, elatriye.
Materyèl ki pi enpòtan nan pwosesis fotolitografi a se photoresist la, ki se yon materyèl fotosensib. Depi sansiblite photoresist la depann de longèdonn sous limyè a, diferan materyèl fotorezist yo mande pou pwosesis fotolitografi tankou liy g/i, 248nm KrF ak 193nm ArF.
Pwosesis prensipal la nan yon pwosesis fotolitografi tipik gen ladan senk etap:
-Preparasyon fim baz;
-Aplike fotorezist ak mou kwit;
-Aliyman, ekspoze ak boulanjri apre ekspoze;
-Devlope fim difisil;
-Deteksyon devlopman.
(1)Preparasyon fim baz: sitou netwayaj ak dezidratasyon. Paske nenpòt ki kontaminan pral febli adezyon ki genyen ant fotorezist la ak wafer la, netwayaj bon jan ka amelyore adezyon ki genyen ant wafer la ak fotoresist la.
(2)Kouch fotorezist: Sa a se reyalize pa wotasyon wafer nan Silisyòm. Diferan fotorezist mande diferan paramèt pwosesis kouch, ki gen ladan vitès wotasyon, epesè fotorezist, ak tanperati.
Mou boulanjri: boulanjri ka amelyore adezyon ki genyen ant photoresist la ak silisyòm wafer la, osi byen ke inifòmite nan epesè photoresist la, ki se benefisye pou kontwòl egzak nan dimansyon yo jeyometrik nan pwosesis la grave ki vin apre.
(3)Aliyman ak ekspoze: Aliyman ak ekspoze se etap ki pi enpòtan nan pwosesis fotolitografi a. Yo refere a aliman modèl mask la ak modèl ki deja egziste sou wafer la (oswa modèl kouch devan an), ak Lè sa a, iradyasyon li ak limyè espesifik. Enèji limyè a aktive eleman fotosansib yo nan photoresist la, kidonk transfere modèl mask la nan fotorezist la.
Ekipman yo itilize pou aliyman ak ekspoze se yon machin fotolitografi, ki se yon sèl pyès ki pi chè nan ekipman pwosesis nan tout pwosesis manifakti sikwi entegre. Nivo teknik machin fotolitografi a reprezante nivo avansman tout liy pwodiksyon an.
Post-ekspozisyon boulanjri: refere a yon pwosesis boulanjri kout apre ekspoze, ki gen yon efè diferan pase nan photoresists gwo twou san fon iltravyolèt ak konvansyonèl i-line photoresists.
Pou fotorezist iltravyolèt gwo twou san fon, boulanjri apre ekspoze retire eleman pwoteksyon yo nan fotorezist la, sa ki pèmèt fotoresist la fonn nan pwomotè a, kidonk boulanjri apre ekspoze nesesè;
Pou fotorèsist konvansyonèl i-liy, boulanjri pòs-ekspozisyon ka amelyore Adhesion nan photoresist la epi redwi vag kanpe (onn kanpe pral gen yon efè negatif sou mòfoloji kwen an nan fotorezist).
(4)Devlope fim nan difisil: lè l sèvi avèk pwomotè pou fonn pati idrosolubl nan fotorezist la (fotorezistans pozitif) apre ekspoze, epi montre avèk presizyon modèl la mask ak modèl la fotorezist.
Paramèt kle nan pwosesis devlopman an gen ladan tanperati devlopman ak tan, dòz pwomotè ak konsantrasyon, netwayaj, elatriye Lè w ajiste paramèt ki enpòtan yo nan devlopman an, diferans ki genyen nan pousantaj disolisyon ant pati ki ekspoze ak ki pa ekspoze nan fotorezist la ka ogmante, kidonk. jwenn efè devlopman vle.
Redi se tou ke yo rekonèt kòm boulanjri redi, ki se pwosesis pou retire sòlvan ki rete a, pwomotè, dlo ak lòt konpozan rezidyèl ki pa nesesè nan fotorezist la devlope pa chofe ak evapore yo, konsa tankou amelyore Adhesion nan fotorezist la nan substra Silisyòm lan ak rezistans nan grave nan photoresist la.
Tanperati a nan pwosesis la redi varye selon diferan fotorezist yo ak metòd yo redi. Premis la se ke modèl fotorezist la pa defòme epi yo ta dwe fè fotorezist ase difisil.
(5)Enspeksyon devlopman: Sa a se tcheke pou domaj nan modèl la fotorezist apre devlopman. Anjeneral, teknoloji rekonesans imaj yo itilize otomatikman eskane modèl chip la apre devlopman epi konpare li ak modèl estanda pre-store san defo. Si yo jwenn nenpòt diferans, li konsidere kòm defektye.
Si kantite defo depase yon sèten valè, yo jije wafer Silisyòm lan echwe tès devlopman an epi yo ka elimine oswa retravay jan sa apwopriye.
Nan pwosesis manifakti sikwi entegre, pifò pwosesis yo irevokabl, ak fotolitografi se youn nan kèk pwosesis ki ka retravay.
Twa fotomask ak materyèl fotorezist
3.1 Photomask
Yon fotomask, ke yo rele tou yon mask fotolitografi, se yon mèt yo itilize nan pwosesis fotolitografi nan manifakti sikwi entegre wafer.
Pwosesis fabrikasyon fotomask la se konvèti done orijinal layout ki nesesè pou fabrikasyon wafer ki fèt pa enjenyè konsepsyon sikwi entegre nan yon fòma done ki ka rekonèt pa dèlko modèl lazè oswa ekipman ekspoze reyon elèktron atravè pwosesis done mask, pou li ka ekspoze pa ekipman ki anwo a sou materyèl substra fotomask la kouvwi ak materyèl fotosansib; Lè sa a, li trete atravè yon seri de pwosesis tankou devlopman ak grave pou ranje modèl la sou materyèl la substra; finalman, li enspekte, repare, netwaye, ak fim-laminasyon yo fòme yon pwodwi mask ak delivre nan manifakti a sikwi entegre pou itilize.
3.2 Photoresist
Photoresist, ke yo rele tou photoresist, se yon materyèl fotosensib. Konpozan fotosensib yo nan li pral sibi chanjman chimik anba iradyasyon limyè a, kidonk sa ki lakòz chanjman nan pousantaj disolisyon an. Fonksyon prensipal li se transfere modèl la sou mask la nan yon substra tankou yon wafer.
Prensip k ap travay nan photoresist: Premyèman, fotorezist la kouvwi sou substra a ak pre-kwit yo retire sòlvan an;
Dezyèmman, mask la ekspoze a limyè, sa ki lakòz konpozan fotosansib yo nan pati ki ekspoze a sibi yon reyaksyon chimik;
Lè sa a, yon kwit apre-ekspozisyon fèt;
Finalman, fotorezist la pasyèlman fonn atravè devlopman (pou fotorezist pozitif, zòn ekspoze a fonn; pou fotorezist negatif, zòn ki pa ekspoze a fonn), kidonk reyalize transfè a nan modèl sikwi entegre soti nan mask la nan substra a.
Konpozan yo nan photoresist sitou gen ladan fim-fòme résine, eleman fotosensib, aditif tras ak sòlvan.
Pami yo, se résine ki fòme fim yo itilize pou bay pwopriyete mekanik ak rezistans grave; eleman fotosansib la sibi chanjman chimik anba limyè, sa ki lakòz chanjman nan pousantaj disolisyon an;
Aditif tras yo enkli koloran, amelyore viskozite, elatriye, ki itilize pou amelyore pèfòmans fotorezist; Solvang yo itilize pou fonn eleman yo epi melanje yo respire.
Photoresists yo kounye a nan itilizasyon lajè yo ka divize an fotorezist tradisyonèl yo ak fotorezistans chimikman anplifye dapre mekanis reyaksyon fotochimik la, epi yo ka tou divize an iltravyolèt, iltravyolèt gwo twou san fon, ekstrèm iltravyolèt, gwo bout bwa elèktron, gwo bout bwa ion ak fotorezists radyografi. fotosansibilite longèdonn.
Kat ekipman fotolitografi
Teknoloji fotolitografi te ale nan pwosesis devlopman nan litografi kontak / pwoksimite, litografi pwojeksyon optik, litografi etap-ak-repete, litografi optik, litografi imèsyon, ak litografi EUV.
4.1 Kontak / Pwoksimite Lithografi machin
Teknoloji litografi kontak te parèt nan ane 1960 yo e li te lajman itilize nan ane 1970 yo. Se te metòd litografi prensipal la nan epòk ti-echèl sikui entegre e li te sitou itilize yo pwodwi sikwi entegre ak gwosè karakteristik ki pi gran pase 5μm.
Nan yon machin litografi kontak/pwoksimite, wafer la anjeneral mete sou yon pozisyon orizontal manyèlman kontwole ak wotasyon worktable. Operatè a sèvi ak yon mikwoskòp jaden disrè pou obsève an menm tan pozisyon mask la ak wafer, epi manyèlman kontwole pozisyon tab travay la pou fè aliman mask la ak wafer. Apre wafer la ak mask yo aliyen, de yo pral bourade ansanm pou ke mask la an kontak dirèk ak fotorezist la sou sifas la nan wafer la.
Apre yo fin retire objektif mikwoskòp la, yo deplase wafer la ak mask sou tab ekspoze a pou ekspoze. Limyè ki emèt pa lanp mèki a kolimate ak paralèl ak mask la atravè yon lantiy. Depi mask la an kontak dirèk ak kouch fotorezistan an sou wafer la, modèl mask la transfere nan kouch fotorezistan an nan yon rapò 1:1 apre ekspoze.
Ekipman litografi kontak se ekipman litografi optik ki pi senp ak pi ekonomik, epi li ka reyalize ekspozisyon grafik gwosè karakteristik sub-micron, kidonk li toujou itilize nan manifakti ti pakèt pwodwi ak rechèch laboratwa. Nan gwo-echèl pwodiksyon sikwi entegre, teknoloji pwoksimite litografi te prezante pou fè pou evite ogmantasyon nan pri litografi ki te koze pa kontak dirèk ant mask la ak wafer la.
Lithografi pwoksimite te lajman itilize nan ane 1970 yo pandan epòk ti-echèl sikui entegre yo ak epòk la byen bonè nan mwayen-echèl sikui entegre yo. Kontrèman ak litografi kontak, mask la nan litografi pwoksimite se pa an kontak dirèk ak fotorezist la sou wafer la, men se yon espas ki ranpli ak nitwojèn kite. Mask la flote sou azòt la, epi gwosè diferans ki genyen ant mask la ak wafer la detèmine pa presyon azòt la.
Depi pa gen okenn kontak dirèk ant wafer la ak mask la nan litografi pwoksimite, domaj yo prezante pandan pwosesis la litografi yo redwi, kidonk diminye pèt la nan mask la ak amelyore sede a wafer. Nan litografi pwoksimite, diferans ki genyen ant wafer la ak mask la mete wafer la nan rejyon diffraction Fresnel. Prezans difraksyon limite amelyorasyon plis rezolisyon ekipman litografi pwoksimite, kidonk teknoloji sa a se sitou apwopriye pou pwodiksyon sikui entegre ak gwosè karakteristik pi wo a 3μm.
4.2 Stepper ak Repeater
Stepper la se youn nan ekipman ki pi enpòtan nan istwa litografi wafer, ki te ankouraje pwosesis litografi sub-micron nan pwodiksyon an mas. Stepper la sèvi ak yon jaden ekspoze tipik estatik nan 22mm × 22mm ak yon lantiy pwojeksyon optik ak yon rapò rediksyon nan 5:1 oswa 4:1 transfere modèl la sou mask la nan wafer la.
Machin litografi etap-ak-repete jeneralman konpoze de yon sous-sistèm ekspoze, yon sous-sistèm etap materyo, yon sous-sistèm etap mask, yon sous-sistèm konsantre/nivelman, yon sous-sistèm aliyman, yon sous-sistèm ankadreman prensipal, yon sous-sistèm transfè wafer, yon sous-sistèm transfè mask. , yon sous-sistèm elektwonik, ak yon sous-sistèm lojisyèl.
Pwosesis k ap travay tipik nan yon machin litografi etap-ak-repete se jan sa a:
Premyèman, wafer a kouvwi ak photoresist transfere sou tab la materyo lè l sèvi avèk subsistèm transfè wafer la, epi mask la yo dwe ekspoze transfere sou tab la mask lè l sèvi avèk subsistèm transfè mask la;
Lè sa a, sistèm nan sèvi ak sous-sistèm konsantre/nivelman pou fè mezi wotè milti-pwen sou wafer la sou sèn nan materyo pou jwenn enfòmasyon tankou wotè ak ang enklinezon sifas wafer la yo dwe ekspoze, se konsa ke zòn nan ekspoze nan wafer la ka toujou kontwole nan pwofondè fokal objektif pwojeksyon an pandan pwosesis ekspoze a;Imedyatman, sistèm nan sèvi ak subsistèm aliyman an pou fè aliman mask la ak wafer pou ke pandan pwosesis ekspoze a presizyon pozisyon nan imaj la mask ak transfè modèl wafer toujou nan kondisyon yo kouvri.
Finalman, aksyon an etap-ak-ekspozisyon nan sifas la wafer antye fini dapre chemen an preskri reyalize fonksyon an transfè modèl.
Machin litografi stepper ak eskanè ki vin apre a baze sou pwosesis k ap travay debaz ki anwo a, amelyore etap → ekspoze nan optik → ekspoze, ak konsantre / nivelman → aliyman → ekspoze sou modèl la doub etap nan mezi (konsantre / nivelman → aliyman) ak optik. ekspoze nan paralèl.
Konpare ak machin nan litografi etap-ak-eskane, machin nan litografi etap-ak-repete pa bezwen reyalize synchrone ranvèse optik nan mask la ak wafer, epi li pa mande pou yon tab optik mask ak yon sistèm kontwòl synchrone. Se poutèt sa, estrikti a se relativman senp, pri a se relativman ba, ak operasyon an se serye.
Apre teknoloji IC te antre nan 0.25μm, aplikasyon litografi etap-ak-repete yo te kòmanse diminye akòz avantaj ki genyen nan litografi etap-ak-eskane nan eskanè gwosè jaden ekspoze ak inifòmite ekspoze. Kounye a, dènye litografi etap-ak-repete Nikon bay la gen yon jaden ekspoze estatik ki gwo tankou litografi etap-ak-scan, epi li ka trete plis pase 200 wafers pou chak èdtan, ak efikasite pwodiksyon trè wo. Sa a ki kalite machin litografi kounye a se sitou itilize pou fabrike nan kouch IC ki pa kritik.
4.3 Stepper Scanner
Aplikasyon litografi etap-ak-scan te kòmanse nan ane 1990 yo. Lè w konfigirasyon diferan sous limyè ekspoze, teknoloji etap-ak-scan ka sipòte diferan nœuds teknoloji pwosesis, ki soti nan 365nm, 248nm, 193nm imèsyon nan litografi EUV. Kontrèman ak litografi etap-ak-repete, ekspozisyon nan yon sèl jaden nan etap-ak-eskanè litografi adopte eskanè dinamik, se sa ki, plak la mask konplete mouvman an eskanè synchrone parapò ak wafer la; apre yo fin ekspoze aktyèl jaden an fini, wafer la pote pa etap materyo a epi li te demisyone nan pwochen pozisyon nan jaden optik, ak ekspoze repete kontinye; repete etap-ak-eskane ekspoze a plizyè fwa jiskaske tout jaden an antye wafer yo ekspoze.
Pa konfigirasyon diferan kalite sous limyè (tankou i-line, KrF, ArF), stepper-eskanè a ka sipòte prèske tout nœuds teknoloji nan pwosesis semi-conducteurs front-end. Pwosesis CMOS tipik ki baze sou Silisyòm yo te adopte stepper-eskanè nan gwo kantite depi ne 0.18μm; machin litografi ekstrèm ultraviolèt (EUV) yo itilize kounye a nan nœuds pwosesis ki anba a 7nm tou itilize stepper-eskanè. Apre yon pati nan modifikasyon adaptasyon, stepper-scanner la ka sipòte tou rechèch ak devlopman ak pwodiksyon anpil pwosesis ki pa silikon tankou MEMS, aparèy pouvwa, ak aparèy RF.
Manifaktirè prensipal yo nan machin litografi pwojeksyon etap-and-scan gen ladan ASML (Netherlands), Nikon (Japon), Canon (Japon) ak SMEE (Lachin). ASML te lanse seri TWINSCAN nan machin litografi etap-ak-eskane an 2001. Li adopte yon achitekti sistèm doub etap, ki ka efektivman amelyore to pwodiksyon ekipman an e li te vin pi lajman itilize-wo fen machin litografi.
4.4 Litografi Immersion
Li ka wè nan fòmil Rayleigh la ke, lè longèdonn ekspoze a rete san okenn chanjman, yon fason efikas plis amelyore rezolisyon an D se ogmante ouvèti a nimerik nan sistèm nan D. Pou rezolisyon D 'pi ba pase 45nm ak pi wo, metòd la ekspoze sèk ArF pa ka satisfè kondisyon yo ankò (paske li sipòte yon rezolisyon D maksimòm de 65nm), kidonk li nesesè prezante yon metòd litografi imèsyon. Nan teknoloji litografi tradisyonèl, mwayen ki genyen ant lantiy la ak fotorezist la se lè, pandan y ap teknoloji litografi imèsyon ranplase mwayen lè a ak likid (anjeneral dlo ultrapure ak yon endèks refraktif 1.44).
An reyalite, teknoloji litografi imèsyon sèvi ak mantèg longèdonn sous limyè a apre limyè pase nan mwayen likid la pou amelyore rezolisyon an, ak rapò a mantèg se endèks refraktif mwayen likid la. Malgre ke machin litografi imèsyon an se yon kalite machin litografi etap-ak-eskane, ak solisyon sistèm ekipman li yo pa chanje, li se yon modifikasyon ak ekspansyon nan machin litografi etap-ak-eskane ArF akòz entwodiksyon de teknoloji kle ki gen rapò. nan imèsyon.
Avantaj nan litografi imèsyon se ke, akòz ogmantasyon nan Ouverture a nimerik nan sistèm nan, se kapasite nan rezolisyon D nan machin nan litografi stepper-scanner amelyore, ki ka satisfè kondisyon yo ki pwosesis nan rezolisyon D pi ba a 45nm.
Depi machin nan litografi imèsyon toujou sèvi ak sous limyè ArF, se kontinwite nan pwosesis la garanti, ekonomize pri a R & D nan sous limyè, ekipman ak pwosesis. Sou baz sa a, konbine avèk grafik miltip ak teknoloji litografi enfòmatik, machin nan litografi imèsyon ka itilize nan nœuds pwosesis nan 22nm ak anba a. Anvan yo te mete machin nan litografi EUV ofisyèlman nan pwodiksyon an mas, machin nan litografi imèsyon te lajman itilize e li te kapab satisfè kondisyon yo ki nan pwosesis ne 7nm. Sepandan, akòz entwodiksyon likid imèsyon, difikilte pou jeni ekipman nan tèt li te ogmante anpil.
Teknoloji kle li yo gen ladan founi likid imèsyon ak teknoloji rekiperasyon, imèsyon likid antretyen jaden teknoloji, polisyon lithografi imèsyon ak teknoloji kontwòl defo, devlopman ak antretyen nan lantiy pwojeksyon imèsyon ultra-gwo Ouverture nimerik, ak teknoloji deteksyon kalite imaj anba kondisyon imèsyon.
Kounye a, machin komèsyal ArFi etap-ak-scan litografi yo sitou bay de konpayi yo, sètadi ASML nan Netherlands ak Nikon nan Japon. Pami yo, pri yon sèl ASML NXT1980 Di se apeprè 80 milyon ero.
4.4 Ekstrèm iltravyolèt Lithographie machin
Yo nan lòd yo amelyore rezolisyon an nan fotolitografi, longèdonn ekspoze a pi kout apre yo fin adopte sous la limyè excimer, ak ekstrèm limyè iltravyolèt ak yon longèdonn 10 a 14 nm prezante kòm sous limyè ekspoze a. Longèdonn ekstrèm limyè iltravyolèt la trè kout, ak sistèm optik meditativ ki ka itilize anjeneral konpoze de reflektè fim multikouch tankou Mo/Si oswa Mo/Be.
Pami yo, reflektivite maksimòm teyorik nan fim multikouch Mo / Si nan seri a longèdonn 13.0 a 13.5nm se apeprè 70%, ak reflektivite maksimòm teyorik nan fim multikouch Mo / Be nan yon longèdonn ki pi kout nan 11.1nm se apeprè 80%. Malgre ke reflektivite nan reflektè fim multikouch Mo / Be pi wo, Be se trè toksik, kidonk rechèch sou materyèl sa yo te abandone lè yo devlope EUV teknoloji litografi.Teknoloji litografi EUV aktyèl la sèvi ak fim multikouch Mo / Si, ak longèdonn ekspoze li yo detèmine tou yo dwe 13.5nm.
Sous limyè iltravyolèt ekstrèm prensipal la sèvi ak teknoloji plasma ki pwodui lazè (LPP), ki sèvi ak lazè gwo entansite pou eksite plasma Sn cho-fonn pou emèt limyè. Pou yon tan long, pouvwa a ak disponiblite nan sous la limyè yo te blokaj yo mete restriksyon sou efikasite nan machin litografi EUV. Atravè anplifikatè pouvwa osilateur mèt la, teknoloji plasma prediksyon (PP) ak teknoloji netwayaj glas koleksyon an plas, pouvwa ak estabilite sous limyè EUV yo te amelyore anpil.
Machin litografi EUV la sitou konpoze de subsystems tankou sous limyè, ekleraj, lantiy objektif, etap materyo, etap mask, aliyman wafer, konsantre / nivelman, transmisyon mask, transmisyon wafer, ak ankadreman vakyòm. Apre yo fin pase nan sistèm ekleraj la ki konpoze de reflektè kouvwi milti-kouch, ekstrèm limyè iltravyolèt la iradyasyon sou mask meditativ la. Limyè a reflete nan mask la antre nan sistèm nan optik total refleksyon D 'ki konpoze de yon seri de reflektè, epi finalman imaj la reflete nan mask la projetée sou sifas la nan wafer la nan yon anviwònman vakyòm.
Chan de vi ekspoze ak D 'chap de vi machin EUV litografi yo tou de gen fòm arc, epi yo itilize yon metòd optik etap-pa-etap pou reyalize plen ekspoze wafer pou amelyore pousantaj pwodiksyon an. Machin litografi EUV seri NXE ki pi avanse ASML a sèvi ak yon sous limyè ekspoze ak yon longèdonn 13.5nm, yon mask meditativ (6° ensidans oblik), yon sistèm objektif pwojeksyon rediksyon 4x ak yon estrikti 6-glas (NA=0.33), yon optik jaden de vi nan 26mm × 33mm, ak yon anviwònman ekspoze vakyòm.
Konpare ak machin litografi imèsyon, rezolisyon an ekspoze sèl nan machin litografi EUV lè l sèvi avèk sous ekstrèm limyè iltravyolèt te amelyore anpil, sa ki ka efektivman evite pwosesis la konplèks ki nesesè pou fotolitografi miltip yo fòme grafik wo-rezolisyon. Koulye a, rezolisyon an ekspoze sèl nan machin nan litografi NXE 3400B ak yon ouvèti nimerik nan 0.33 rive nan 13nm, ak pousantaj pwodiksyon an rive nan 125 moso / h.
Yo nan lòd yo satisfè bezwen yo nan plis ekstansyon Lwa Moore a, nan tan kap vini an, EUV machin litografi ak yon ouvèti nimerik nan 0.5 pral adopte yon sistèm objektif pwojeksyon ak bloke limyè santral, lè l sèvi avèk yon agrandisman asimetri nan 0.25 fwa / 0.125 fwa, ak la. Yo pral redui chan de vi ekspozisyon eskanè soti nan 26m × 33mm a 26mm × 16.5mm, ak rezolisyon an ekspoze sèl ka rive anba a. 8nm.
———————————————————————————————————————————————————— ————————————
Semicera ka baypati grafit, mou/rijid te santi, pati carbure Silisyòm, Pati carbure Silisyòm CVD, epiSiC/TaC kouvwi patiak pwosesis semi-conducteurs konplè nan 30 jou.
Si w enterese nan pwodwi semi-conducteurs ki anwo yo,tanpri pa ezite kontakte nou nan premye fwa.
Tel: +86-13373889683
WhatsApp: +86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
Tan pòs: Out-31-2024