Bato grafit SEMICERA izostatik PECVD se yon pwodwi grafit ki gen anpil pite ak gwo dansite ki fèt pou sipò wafer nan pwosesis PECVD (plasma améliorée depo vapè chimik). SEMICERA sèvi ak teknoloji avanse izostatik peze pou asire ke bato a grafit gen ekselan rezistans tanperati ki wo, rezistans korozyon, estabilite dimansyon ak bon konduktiviti tèmik, ki se yon konsome endispansab nan pwosesis fabrikasyon semi-conducteurs.
Bato grafit SEMICERA izostatik PECVD gen avantaj sa yo:
▪ Pite segondè: Materyèl grafit la gen pite segondè ak kontni enpurte ki ba pou fè pou evite kontaminasyon sifas wafer la.
▪ Segondè dansite: Gwo dansite, segondè fòs mekanik, ka kenbe tèt ak tanperati ki wo ak anviwònman vakyòm segondè.
▪ Bon estabilite dimansyon: Ti chanjman dimansyon nan tanperati ki wo pou asire estabilite pwosesis.
▪ Ekselan konduktiviti tèmik: Efektivman transfere chalè pou anpeche surchof wafer.
▪ Bonjan rezistans korozyon: Kapab reziste ewozyon pa divès gaz korozivite ak plasma.
| Paramèt pèfòmans | semisera | SGL R6510 | Paramèt pèfòmans |
| Dansite esansyèl (g/cm3) | 1.91 | 1.83 | 1.85 |
| Fòs koube (MPa) | 63 | 60 | 49 |
| Fòs konpresyon (MPa) | 135 | 130 | 103 |
| Dite Shore (HS) | 70 | 64 | 60 |
| Koefisyan ekspansyon tèmik (10-6/K) | 85 | 105 | 130 |
| Koefisyan ekspansyon tèmik (10-6/K) | 5.85 | 4.2 | 5.0 |
| Rezistans (μΩm) | 11-13 | 13 | 10 |
Avantaj nan chwazi nou:
▪ Seleksyon materyèl: Yo itilize materyèl grafit pite pou asire bon jan kalite pwodwi.
▪ Teknoloji pwosesis: Yo itilize peze izostatik pou asire dansite pwodwi ak inifòmite.
▪ Pèsonalizasyon gwosè: Bato grafit ki gen diferan gwosè ak fòm yo ka Customized selon bezwen kliyan yo.
▪ Tretman sifas: Yo bay yon varyete metòd tretman sifas, tankou carbure Silisyòm kouch, nitrure bor, elatriye, pou satisfè kondisyon diferan pwosesis.
