Nou te konvenki ke ak efò konjwen, antrepriz ki genyen ant nou pral pote nou benefis mityèl. Nou ta ka garanti ou atik ekselan ak agresif pri tag pou IOS Sètifika Sic Heater Mosi2 Heater Sic Heating Element Furnace Spare, Ansanm ak efò nou yo, pwodwi nou yo ak solisyon yo te genyen konfyans nan kliyan yo epi yo te trè vann tou de isit la ak lòt bò dlo.
Nou te konvenki ke ak efò konjwen, antrepriz ki genyen ant nou pral pote nou benefis mityèl. Nou ta ka garanti ou atik ekselan ak agresif pri tag pouLachin Sic chofaj eleman ak aparèy chofaj Sic, Nou konfime nan piblik, koperasyon, genyen-genyen sitiyasyon kòm prensip nou an, konfòme yo ak filozofi a nan fè yon k ap viv pa bon jan kalite, kontinye devlope pa onètete, sensèman espere bati yon bon relasyon ak pi plis ak plis kliyan ak zanmi, reyalize yon sitiyasyon genyen-genyen ak pwosperite komen.
Deskripsyon
Konpayi nou an bay sèvis pwosesis kouch SiC pa metòd CVD sou sifas la nan grafit, seramik ak lòt materyèl, se konsa ke gaz espesyal ki gen kabòn ak Silisyòm reyaji nan tanperati ki wo pou jwenn pite segondè molekil SiC, molekil depoze sou sifas la nan materyèl yo kouvwi, fòme kouch pwoteksyon SIC.
Karakteristik prensipal yo
1. Rezistans oksidasyon tanperati ki wo:
rezistans oksidasyon an toujou trè bon lè tanperati a wo tankou 1600 C.
2. Segondè pite: fèt pa depo vapè chimik anba kondisyon klorinasyon tanperati ki wo.
3. Rezistans ewozyon: segondè dite, sifas kontra enfòmèl ant, patikil amann.
4. Rezistans korozyon: asid, alkali, sèl ak reyaktif òganik.
Espesifikasyon prensipal nan kouch CVD-SIC
| Pwopriyete SiC-CVD | ||
| Crystal Estrikti | FCC β faz | |
| Dansite | g/cm³ | 3.21 |
| Dite | Vickers dite | 2500 |
| Gwosè grenn | μm | 2 ~ 10 |
| Pite chimik | % | 99.99995 |
| Kapasite Chalè | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Tanperati sublimasyon | ℃ | 2700 |
| Flèsural fòs | MPa (RT 4-pwen) | 415 |
| Modil Young la | Gpa (4pt koube, 1300 ℃) | 430 |
| Ekspansyon tèmik (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Konduktivite tèmik | (W/mK) | 300 |
Konpayi Profile
WeiTai Enèji se youn nan manifaktirè yo ak founisè nan Silisyòm carbure kouvwi epitaxial fèy palèt nan Lachin. Pwensipal pwodwi nou yo genyen ladan yo: Silisyòm carbure etch plak, Silisyòm carbure trelè bato, Silisyòm carbure wafer bato (PV & Semiconductor), Silisyòm carbure founo tib, Silisyòm carbure cantilever pedal, silikon carbure mandrin, Silisyòm carbure travès, osi byen ke CVD SiC kouch ak TaC kouch.
Pwodwi yo pwensipalman itilize nan endistri semi-conducteurs ak fotovoltaik, tankou kwasans kristal, epitaksi, grave, anbalaj, kouch ak ekipman founo difizyon. Achte SIC kouvwi epitaxial fèy palèt ak pri ki ba nan faktori nou an. Nou gen pwòp mak nou epi nou sipòte tou en. Si ou enterese nan pwodwi nou yo, nou pral ba ou yon pri bon mache. Byenveni nan dènye pwodwi bon jan kalite rabè nou yo.
Konpayi nou an gen ekipman pwodiksyon konplè tankou bòdi, sintering, pwosesis, ekipman kouch, elatriye, ki ka ranpli tout lyen ki nesesè nan pwodiksyon pwodwi epi yo gen pi wo kontwòlabilite nan bon jan kalite pwodwi; Plan pwodiksyon pi bon an ka chwazi selon bezwen pwodwi a, sa ki lakòz pi ba pri ak bay kliyan pwodwi pi konpetitif; Nou ka pwograme pwodiksyon fleksib ak efikasite ki baze sou kondisyon livrezon lòd ak an konjonksyon avèk sistèm jesyon lòd sou entènèt, bay kliyan yo pi vit ak plis garanti tan livrezon.
Ekipman
Nou te konvenki ke ak efò konjwen, antrepriz ki genyen ant nou pral pote nou benefis mityèl. Nou ta ka garanti ou atik ekselan ak agresif pri tag pou IOS Sètifika Sic Heater Mosi2 Heater Sic Heating Element Furnace Spare, Ansanm ak efò nou yo, pwodwi nou yo ak solisyon yo te genyen konfyans nan kliyan yo epi yo te trè vann tou de isit la ak lòt bò dlo.
Sètifika IOSLachin Sic chofaj eleman ak aparèy chofaj Sic, Nou konfime nan piblik, koperasyon, genyen-genyen sitiyasyon kòm prensip nou an, konfòme yo ak filozofi a nan fè yon k ap viv pa bon jan kalite, kontinye devlope pa onètete, sensèman espere bati yon bon relasyon ak pi plis ak plis kliyan ak zanmi, reyalize yon sitiyasyon genyen-genyen ak pwosperite komen.
