Segondè tanperati ki reziste Silisyòm carbure estrikti pati seramik

Segondè tanperati rezistan Silisyòm carbure estrikti pati seramik En Imaj

Deskripsyon kout:

WeiTai EnèjiTeknoloji co, Ltd.se yon founisè dirijan ki espesyalize nan wafer ak avanse semiconductor consommables.Nou dedye a bay bon jan kalite, fyab, ak pwodwi inovatè nan fabrikasyon semi-conducteurs,endistri fotovoltaikak lòt domèn ki gen rapò.

Liy pwodwi nou an gen ladan pwodwi SiC / TaC kouvwi grafit ak pwodwi seramik, ki kouvri divès kalite materyèl tankou carbure Silisyòm, nitrure Silisyòm, ak oksid aliminyòm ak elatriye.

Kòm yon founisè ou fè konfyans, nou konprann enpòtans ki genyen nan consommables nan pwosesis fabrikasyon an, epi nou angaje nan livrezon pwodwi ki satisfè pi wo estanda kalite yo satisfè bezwen kliyan nou yo.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Segondè tanperati ki reziste Silisyòm carbure estrikti seramik pati-2

Segondè tanperati ki reziste Silisyòm carbure estrikti pati seramik

Pwopriyete materyèl

Ba dansite (3.10 a 3.20 g/cm3)

Segondè dite (HV10≥22 GPA)

Modil Young segondè (380 a 430 MPa)

Kowozyon ak rezistans mete menm nan tanperati ki wo

Sekirite toksikolojik

Kapasite sèvis

Anpil eksperyans nan sintering, pwosesis ak polisaj nan seramik presizyon pèmèt nou:

► Estrikti ak gwosè pati estriktirèl carbure Silisyòm yo ka Customized selon demann;

► Fòm presizyon ka pi byen rive nan ±0.005mm, nan sikonstans nòmal ±0.05mm;

► Presizyon estrikti entèn ka de preferans rive nan ± 0.01mm, nan sikonstans nòmal nan ± 0.05mm;

► Ka trete M2.5 oswa plis fil estanda oswa ki pa estanda dapre demann;

► Presizyon pozisyon twou ka pi byen rive nan 0.005mm, jeneralman nan 0.01mm;

► Pou plis detay sou estrikti a, tanpri kontakte nou.

Tout tolerans yo ka modifye selon gwosè, estrikti ak jeyometri presizyon pati estriktirèl seramik, asire ke nou sèlman delivre pwodwi ki satisfè oswa depase kondisyon pi wo bon jan kalite kliyan nou yo.