Semicera bay penti espesyalize carbure Tantal (TaC) pou divès konpozan ak transpòtè.Pwosesis kouch dirijan Semicera pèmèt kouch carbure Tantal (TaC) reyalize pite segondè, estabilite tanperati ki wo ak tolerans chimik segondè, amelyore kalite pwodwi nan kristal SIC / GAN ak kouch EPI (Graphite kouvwi TaC susceptor), ak pwolonje lavi a nan eleman kle raktor yo. Itilizasyon Tantal carbure TaC kouch se rezoud pwoblèm nan kwen ak amelyore kalite kwasans kristal, ak Semicera te zouti rezoud teknoloji a kouch carbure Tantal (CVD), rive nan nivo entènasyonal avanse.
Apre ane nan devlopman, Semicera te konkeri teknoloji a nanCVD TaCak efò yo ansanm nan depatman R & D. Defo yo fasil pou rive nan pwosesis kwasans lan nan gaufre SiC, men apre yo fin itilizeTaC, diferans lan enpòtan. Anba la a se yon konparezon nan wafers ak ak san TaC, osi byen ke pati Semicera 'pou kwasans yon sèl kristal.
ak ak san TaC
Apre w fin itilize TaC (adwat)
Anplis de sa, lavi sa a ki sèvis nan pwodwi kouch TaC Semicera a se pi long ak plis rezistan nan tanperati ki wo pase sa yo ki nan kouch SiC. Apre yon tan long nan done mezi laboratwa, TaC nou an ka travay pou yon tan long nan yon maksimòm de 2300 degre Sèlsiyis. Sa ki annapre yo se kèk nan echantiyon nou yo:
(a) Dyagram eskematik aparèy pou grandi yon sèl kristal SiC pa metòd PVT (b) Top TaC kouvwi parantèz grenn (ki gen ladan grenn SiC) (c) TAC-kouvwi bag gid grafit
