Silisyòm Carbide (SiC) Powder Apèsi sou lekòl la
Silisyòm carbure (SiC), konnen tou kòm carborundum oswa Emery, se youn nan materyèl ki pi lajman itilize ak ekonomik. SiC disponib nan de fòm: carbure Silisyòm nwa ak carbure Silisyòm vèt.
Pwosesis Pwodiksyon
SiC se pwodwi pa fonn sab kwatz, coke petwòl, oswa goudwon chabon, ak bato bwa nan tanperati ki wo nan yon gwo founo dife. Karbid Silisyòm vèt se espesyalman fèt pa fonn bon jan kalite diyoksid Silisyòm ak coke petwòl, ak sèl ajoute kòm yon aditif.
Pwopriyete ak Aplikasyon
-Dite:Tonbe ant korundon ak dyaman.
-Fòs mekanik:Pi wo pase korundon, frajil, ak byen file.
-Kondiktivite:Posede sèten konduktiviti elektrik ak tèmik.
Akòz pwopriyete sa yo, SiC se ideyal pou aplikasyon ki mande durability ak jesyon tèmik. Li se anpil itilize nan endistri tankou abrazif, refractories, ak semi-conducteurs.
Karakteristik Silisyòm Carbide
1. ba ekspansyon tèmik:Minimize chanjman nan gwosè ak fluctuations tanperati.
2. Segondè konduktivite tèmik:Efikas transfere chalè.
3. Rezistans estrès tèmik:Diminye chans pou estrès tèmik.
4. Ekselan rezistans chòk tèmik:Li kenbe tèt ak chanjman tanperati rapid.
5. kowozyon rezistans:Dirab kont domaj chimik.
6. ekstrèm tanperati tolerans: Pèfòme byen nan tou de anviwònman trè frèt ak cho.
7. Rezistans ranpe wo-tanperati:Kenbe estabilite ak fòs nan tanperati ki wo.
Semicera ka Customize 4N-6N Silisyòm carbure poud selon bezwen ou yo, akeyi yo mande.
| KONTAN CHIMIK | |
| SiC | 98% min |
| SiO2 | 1% max |
| H2O3 | 0.5% max |
| Fe2O3 | 0.4% max |
| FC | 0.4% max |
| Materyèl mayetik | 0.02% max |
| PWOPRIYETE FIZIK | |
| Dite Moh a | 9.2 |
| Pwen k ap fonn | 2300℃ |
| Tanperati travay | 1900℃ |
| Espesifik gravite | 3.2-3.45 g/cm3 |
| Dansite esansyèl | 1.2-1.6 g/cm3 |
| Koulè | Nwa |
| Modil Elastisite | 58-65x106psi |
| Koefisyan ekspansyon tèmik | 3.9-4.5 x10-6/℃ |
| Kondiktivite tèmik | 71-130 W/mK |
| Gwosè grenn | |
| 0-1mm,1-3mm, 3-5mm, 5-8mm,6/10, 10/18,200-0mesh,325mesh,320mesh,400mesh,600mesh,800mesh,1000mesh, | |
