Tèt douch CVD SiC

Deskripsyon kout:

Tèt douch CVD SiC Semicera a se yon douch wo-pèfòmans ki fèt pou pwosesis depo chimik vapè (CVD), espesyalman pou depo fim mens carbure Silisyòm (SiC). Te fè nan bon jan kalite materyèl espesyalite Graphite ak teknoloji TAC Coating, li asire estabilite ekselan ak rezistans korozyon nan anviwònman tanperati ki wo, bay sipò serye pou fabrikasyon semi-conducteurs.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Poukisa se kouch Carbide Silisyòm?

Semizè aTèt douch CVD SiCfèt pou optimize aCVD SiCpwosesis. Tèt la sèvi ak materyèl avanse espesyalite Graphite, ki gen ekselan konduktiviti tèmik ak estabilite chimik, asire pèfòmans serye nan kondisyon travay ekstrèm. Atravè konsepsyon espre efikas, CVD SiC Shower Head la ka reyalize distribisyon gaz inifòm epi asire bon jan kalite a nan depozisyon fim SiC sou wafer la.

Sèvi akTAC kouchteknoloji, tèt douch CVD SiC Semicera a amelyore rezistans mete ak lavi sèvis, asire ke ekipman an rete efikas pandan operasyon alontèm. Konsepsyon optimize li yo pa sèlman diminye depans antretyen, men tou, amelyore efikasite pwodiksyon an, sa ki pèmèt kliyan yo jwenn pi wo retounen nan pwosesis fabrikasyon semi-conducteurs.

Anplis de sa, Semicera aTèt douch CVD SiCse konpatib ak yon varyete de sistèm CVD epi yo ka fleksib aplike nan diferan anviwònman pwodiksyon. Kit nan etap R & D oswa nan pwodiksyon gwo echèl, labouchka bay pèfòmans ki estab, ede kliyan kanpe deyò nan mache konpetitif la.

Chwazi tèt douch CVD SiC Semicera a, ou pral jwenn ekselan sipò teknik ak bon jan kalite pwodwi pou ede ou reyalize yon pwosesis pwodiksyon pi efikas ak pwodiksyon fim SiC-wo kalite. Semicera toujou pran angajman pou ankouraje devlopman anofendistri semi-conducteurs ak bay kliyan pi bon solisyon ak sèvis yo.