CVD SiC kouvwi grafit douch tèt

CVD SiC kouvwi Graphite Douch Head Imaj Prezantasyon

Deskripsyon kout:

Tèt douch Semicera a CVD SiC kouvwi Graphite se yon tèt douch pèfòmans segondè ki fèt pou pwosesis avanse depo vapè chimik (CVD). Avèk yon kouch prim Silisyòm Carbide, tèt douch sa a ekselan nan tanperati ki wo ak anviwònman korozivite, asire pèfòmans ekselan lè w ap manyen kwatz ak gaufret.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Poukisa se kouch Carbide Silisyòm?

Semicera fyè pou l prezante aCVD SiC kouvwi grafit douch tèt, ki fèt pou satisfè bezwen modèn semi-conducteurs manifakti. Li inikKouch Carbide Silisyòmbay ekselan rezistans tèmik ak estabilite chimik, fè li yon jwè enpòtan nan aplikasyon pou CVD.

Pandan pwosesis depo chimik vapè a, tèt douch Semicera a asire depozisyon inifòm nan materyèl, anpil amelyore efikasite pwodiksyon ak bon jan kalite pwodwi. Kit tretman kwatz-wo pite oswawafers, Tèt douch sa a ka efektivman redwi pousantaj defo epi asire estabilite pwosesis.

Anplis de sa, laCVD SiC kouvwi grafit douch tètse tou konpatib akTAC kouchteknoloji, bay pi gwo fleksibilite aplikasyon ak yon seri pi laj nan aplikasyon yo. Ekip R&D Semicera a toujou ap inovasyon epi li angaje l pou l bay kliyan solisyon ki pi efikas pou satisfè bezwen mache ki toujou ap chanje.

Lè w chwazi tèt douch Semicera a CVD SiC kouvwi Graphite, w ap jwenn yon pwodwi efikas ak serye pou ede w reyalize pi bon rezilta depo nan pwosesis CVD ou. Semicera toujou ensiste pou bay kliyan solisyon semi-conducteurs-wo kalite ak ankouraje pwogrè kontinyèl ak inovasyon nan endistri an.