Bulk CVD SiC bag

Deskripsyon kout:

Bag an gwo CVD SiC itilize gaz sous Silisyòm (tankou idride Silisyòm) ak gaz sous kabòn (tankou metàn) kòm matyè premyè, reyaji nan tanperati ki wo pou depoze materyèl SiC gwo gwosè sou yon substra oswa mwazi. Pwosesis sa a pèmèt SiC yo dwe inifòm depoze sou yon gwo zòn, fòme yon estrikti bag fò ak konsistan.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Poukisa Silisyòm Carbide Etching Ring?

RTPCVD SiC bagyo lajman ki itilize nan jaden endistriyèl ak syantifik nan tanperati ki wo ak anviwònman korozivite. Li jwe yon wòl enpòtan nan fabrikasyon semi-conducteurs, optoelektronik, machin presizyon ak endistri chimik. Aplikasyon espesifik yo enkli:

1. Semiconductor manifakti:RTP CVD SiC bagka itilize pou chofaj ak refwadisman ekipman semi-conducteurs, bay kontwòl tanperati ki estab ak asire presizyon ak konsistans nan pwosesis la.

2. Optoelectronics: Akòz ekselan konduktiviti tèmik li yo ak rezistans tanperati ki wo, RTPCVD SiC bagka itilize kòm materyèl sipò ak chalè dissipation pou lazè, ekipman kominikasyon fib optik ak konpozan optik.

3. Precision machin: RTP CVD SiC bag yo ka itilize pou enstriman presizyon ak ekipman nan tanperati ki wo ak anviwònman korozivite, tankou gwo founo tanperati, aparèy vakyòm ak réacteurs chimik.

4. Endistri chimik: Akòz rezistans korozyon li yo ak estabilite chimik, bag RTP CVD SiC yo ka itilize nan resipyan, tiyo ak réacteurs nan reyaksyon chimik ak pwosesis katalitik.

Sistèm Epi

Sistèm RTP

Sistèm CVD

Pèfòmans pwodwi:

1. Rankontre pwosesis ki anba a 28nm

2. Super kowozyon rezistans

3. Super pwòp pèfòmans

4. Super dite

5. Segondè dansite

6. Rezistans tanperati ki wo

7. Mete rezistans

Aplikasyon pwodwi:

Materyèl carbure Silisyòm gen karakteristik segondè dite, rezistans mete, rezistans korozyon ak estabilite tanperati ki wo. Pwodwi ak ekselan pèfòmans konplè yo lajman ki itilize nan grave sèk ak pwosesis TF / Difizyon.