8 Pous N-tip SiC Wafers Semicera yo se nan forefront nan inovasyon semi-conducteurs, bay yon baz solid pou devlopman nan aparèy elektwonik pèfòmans-wo. Wafers sa yo fèt pou satisfè egzijans rijid aplikasyon elektwonik modèn yo, soti nan elektwonik pouvwa ak sikui frekans yo.
Dopaj N-tip nan wafers SiC sa yo amelyore konduktiviti elektrik yo, sa ki fè yo ideyal pou yon pakèt aplikasyon, ki gen ladan dyod pouvwa, tranzistò, ak anplifikatè. Konduktivite siperyè asire pèt enèji minimòm ak operasyon efikas, ki enpòtan anpil pou aparèy opere nan frekans segondè ak nivo pouvwa.
Semicera anplwaye teknik fabrikasyon avanse pou pwodwi wafers SiC ak inifòmite sifas eksepsyonèl ak domaj minim. Nivo presizyon sa a esansyèl pou aplikasyon ki mande pèfòmans konsistan ak rezistans, tankou nan endistri ayewospasyal, otomobil ak telekominikasyon yo.
Enkòpore 8 pous N-type SiC Wafers Semicera nan liy pwodiksyon ou a bay yon fondasyon pou kreye konpozan ki ka kenbe tèt ak anviwònman difisil ak tanperati ki wo. Wafers sa yo pafè pou aplikasyon pou konvèsyon pouvwa, teknoloji RF, ak lòt jaden ki mande.
Chwazi 8 pous N-type SiC Wafers Semicera a vle di envesti nan yon pwodwi ki konbine syans materyèl kalite siperyè ak jeni egzak. Semicera pran angajman pou avanse kapasite teknoloji semi-conducteurs, ofri solisyon ki amelyore efikasite ak fyab aparèy elektwonik ou yo.
Atik | Pwodiksyon | Rechèch | Enbesil |
Crystal Paramèt | |||
Politip | 4H | ||
Erè oryantasyon sifas | <11-20 > 4±0.15° | ||
Paramèt elektrik | |||
Dopan | n-tip Azòt | ||
Rezistivite | 0.015-0.025ohm·cm | ||
Paramèt mekanik | |||
Dyamèt | 150.0±0.2mm | ||
Epesè | 350±25 μm | ||
Oryantasyon prensipal plat | [1-100]±5° | ||
Longè plat prensipal | 47.5±1.5mm | ||
Segondè plat | Okenn | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
Bow | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Defòme | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Devan (Si-fas) brutality (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
Estrikti | |||
Dansite Micropipe | <1 chak/cm2 | <10 chak/cm2 | <15 chak/cm2 |
Enpurte metal | ≤5E10atòm/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Kalite devan | |||
Devan | Si | ||
Sifas fini | Si-fas CMP | ||
Patikil | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
Rayures | ≤5ea/mm. Kimilatif longè ≤Dyamèt | Kimilatif longè≤2 * Dyamèt | NA |
Kale zoranj / twou / tach / striasyon / fant / kontaminasyon | Okenn | NA | |
Edge chips / endentasyon / ka zo kase / plak hex | Okenn | ||
Zòn politip yo | Okenn | Zòn kimilatif ≤20% | Zòn kimilatif ≤30% |
Devan lazè make | Okenn | ||
Retounen Kalite | |||
Retounen fini | C-fas CMP | ||
Rayures | ≤5ea/mm, Kimilatif longè≤2 * Dyamèt | NA | |
Defo nan do (chips kwen / endentasyon) | Okenn | ||
Retounen brutality | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
Retounen make lazè | 1 mm (soti nan kwen anwo) | ||
Edge | |||
Edge | Chanfrein | ||
Anbalaj | |||
Anbalaj | Epi-pare ak anbalaj vakyòm Anbalaj kasèt milti-wafer | ||
*Nòt: "NA" vle di pa gen okenn demann. Atik ki pa mansyone yo ka refere a SEMI-STD. |