6-pous LiNbO3 Liaison wafer

Deskripsyon kout:

Wafer 6 pous LiNbO3 Semicera a se ideyal pou pwosesis lyezon avanse nan aparèy optoelectronic, MEMS, ak sikui entegre (ICs). Avèk karakteristik siperyè lyezon li yo, li se ideyal pou reyalize aliyman egzak kouch ak entegrasyon, asire pèfòmans ak efikasite nan aparèy semi-conducteurs. Pite segondè nan wafer la minimize kontaminasyon, fè li yon chwa serye pou aplikasyon ki mande pou pi wo presizyon.

Voye imèl ba nou

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Wafer Liaison LiNbO3 6-pous Semicera a enjenyè pou satisfè nòm solid endistri semi-conducteurs, li bay pèfòmans san parèy nan anviwònman rechèch ak pwodiksyon. Kit pou optoelectronics wo-fen, MEMS, oswa anbalaj semi-conducteurs avanse, wafer lyezon sa a ofri fyab ak rezistans ki nesesè pou devlopman teknoloji dènye kri.

Nan endistri semi-conducteurs, 6-pous LiNbO3 Bonding Wafer a lajman itilize pou lyezon kouch mens nan aparèy optoelectronic, detèktè, ak sistèm mikwo-elektromekanik (MEMS). Pwopriyete eksepsyonèl li yo fè li yon eleman enpòtan pou aplikasyon ki mande entegrasyon kouch egzak, tankou nan fabrikasyon sikui entegre (IC) ak aparèy fotonik. Pite segondè nan wafer la asire ke pwodwi final la kenbe pèfòmans optimal, minimize risk pou kontaminasyon ki ta ka afekte fyab aparèy.

Pwopriyete tèmik ak elektrik nan LiNbO3
Pwen k ap fonn	1250 ℃
Tanperati Curie	1140 ℃
Konduktivite tèmik	38 W/m/K @ 25 ℃
Koefisyan ekspansyon tèmik (@ 25°C)	//a，2.0×10^-6/K //c，2.2×10^-6/K
Rezistivite	2×10^-6Ω·cm @ 200 ℃
Konstan Dielectric	εS11/ε0=43，εT11/ε0=78 εS33/ε0=28，εT33/ε0=2
Konstan piezoelectric	D₂₂= 2,04×10^-11C/N D₃₃= 19,22 × 10^-11C/N
Koyefisyan elektwo-optik	γT₃₃= 32 pm/V， γS₃₃= 31 pm/V, γT₃₁= 10 pm/V， γS₃₁= 8.6 pm/V， γT₂₂= 6.8 pm/V， γS₂₂= 3.4 pm/V，
Mwatye-vag vòltaj, DC Jaden elektrik // z, limyè ⊥ Z; Jaden elektrik // x oswa y, limyè ⊥ z	3.03 KV 4.02 KV

Wafer Liaison LiNbO3 6-pous ki soti nan Semicera fèt espesyalman pou aplikasyon avanse nan endistri semi-kondiktè ak optoelektwonik. Li te ye pou rezistans siperyè mete li yo, estabilite tèmik segondè, ak pite eksepsyonèl, wafer lyezon sa a se ideyal pou fabrikasyon segondè-pèfòmans semi-conducteurs, ofri fyab ki dire lontan ak presizyon menm nan kondisyon ki mande.

Fèt ak teknoloji dènye kri, 6-pous LiNbO3 Bonding Wafer la asire kontaminasyon minim, ki enpòtan anpil pou pwosesis pwodiksyon semi-conducteurs ki mande pou nivo segondè nan pite. Ekselan estabilite tèmik li pèmèt li kenbe tèt ak tanperati ki wo san yo pa konpwomèt entegrite estriktirèl, fè li yon chwa serye pou aplikasyon pou lyezon wo-tanperati. Anplis de sa, rezistans eksepsyonèl wafer nan mete asire ke li fè toujou sou itilizasyon pwolonje, bay durability alontèm ak diminye bezwen an pou ranplasman souvan.