Gofr

Lachin Wafer manifaktirè yo, Founisè yo, Faktori

Ki sa ki se yon wafer semi-kondiktè?

Yon waf semi-kondiktè se yon tranch mens ak won ki fèt ak yon materyèl semi-kondiktè ki sèvi kòm fondasyon pou fabrikasyon sikui entegre (CI) ak lòt aparèy elektwonik. Waf la bay yon sifas plat ak inifòm sou ki yo konstwi divès konpozan elektwonik.

 

Pwosesis fabrikasyon waf la gen plizyè etap, tankou fè yon gwo kristal sèl ak materyèl semi-kondiktè ou vle a grandi, koupe kristal la an waf mens avèk yon si dyaman, epi poli epi netwaye waf yo pou retire nenpòt domaj oswa enpurte sou sifas la. Waf ki sòti yo gen yon sifas ki plat e lis anpil, sa ki enpòtan anpil pou pwosesis fabrikasyon ki vin apre yo.

 

Yon fwa yo fin prepare waf yo, yo sibi yon seri pwosesis fabrikasyon semi-kondiktè, tankou fotolitografi, grave, depozisyon, ak dopaj, pou kreye modèl ak kouch konplèks ki nesesè pou konstwi konpozan elektwonik yo. Pwosesis sa yo repete plizyè fwa sou yon sèl waf pou kreye plizyè sikui entegre oswa lòt aparèy.

 

Apre pwosesis fabrikasyon an fini, yo separe chak chip endividyèl yo lè yo koupe waf la an ti moso sou liy predefini. Apre sa, yo pake chip separe yo pou pwoteje yo epi bay koneksyon elektrik pou entegrasyon nan aparèy elektwonik.

 

Wafer-2

 

Diferan materyèl sou waf

Plak semi-kondiktè yo fèt prensipalman ak silikon monokristal akòz abondans li, ekselan pwopriyete elektrik li yo, ak konpatibilite li ak pwosesis fabrikasyon semi-kondiktè estanda yo. Sepandan, selon aplikasyon ak egzijans espesifik yo, lòt materyèl kapab tou itilize pou fè plak. Men kèk egzanp:

 

Karbid Silisyòm (SiC) se yon materyèl semi-kondiktè ak yon gwo espas bann ki ofri pwopriyete fizik siperyè konpare ak materyèl tradisyonèl yo. Li ede diminye gwosè ak pwa aparèy separe, modil, e menm sistèm antye, tout pandan l ap amelyore efikasite.

 

Karakteristik kle nan SiC:

  1. -Gwo espas bann:Espas bann SiC a se apeprè twa fwa pi gwo pase Silisyòm, sa ki pèmèt li opere nan tanperati ki pi wo, jiska 400 °C.
  2. -Chan Dega Kritik Segondè:SiC ka reziste jiska dis fwa chan elektrik Silisyòm, sa ki fè li ideyal pou aparèy ki gen gwo vòltaj.
  3. -Konduktivite tèmik ki wo:SiC a disipe chalè avèk efikasite, sa ki ede aparèy yo kenbe tanperati fonksyònman optimal epi pwolonje lavi yo.
  4. -Vitès derive elektwon saturation ki wo:Avèk doub vitès derive Silisyòm lan, SiC pèmèt pi gwo frekans komitasyon, sa ki ede nan miniaturizasyon aparèy la.

 

Aplikasyon yo:

 

Nitrid Galyòm (GaN)se yon materyèl semi-kondiktè twazyèm jenerasyon ak yon gwo espas bann (bandgap) ki gen yon gwo espas bann, yon konduktivite tèmik ki wo, yon vitès derive saturation elektwon ki wo, ak ekselan karakteristik chan pann. Aparèy GaN yo gen laj pèspektiv aplikasyon nan domèn frekans ki wo, vitès ki wo, ak gwo puisans tankou ekleraj ekonomize enèji LED, ekspozisyon pwojeksyon lazè, machin elektrik, rezo entelijan, ak kominikasyon 5G.

 

Galyòm arseniur (GaAs)se yon materyèl semi-kondiktè li te ye pou frekans segondè li, gwo mobilite elektwon, gwo pwodiksyon pouvwa, bri ki ba, ak bon linearite. Li lajman itilize nan endistri optoelektwonik ak mikwoelektwonik. Nan optoelektwonik, substrats GaAs yo itilize pou fabrike LED (dyòd ki emèt limyè), LD (dyòd lazè), ak aparèy fotovoltaik. Nan mikwoelektwonik, yo anplwaye nan pwodiksyon MESFET (tranzistò efè chan metal-semi-kondiktè), HEMT (tranzistò mobilite elektwon segondè), HBT (tranzistò bipolè eterojonksyon), IC (sikwi entegre), dyòd mikwo ond, ak aparèy efè Hall.

 

Fosfid Endyòm (InP)se youn nan semi-kondiktè konpoze III-V enpòtan yo, li konnen pou gwo mobilite elektwon li, ekselan rezistans radyasyon, ak gwo espas bann. Li lajman itilize nan endistri optoelektwonik ak mikwoelektwonik.

Mande yon Quote Wafer 

Voye nou materyèl waf ou a, dyamèt, epesè, kalite konduktivite, rezistivite, oryantasyon kristal, kondisyon sifas ak kantite. Semicera pral revize konfigirasyon ou mande a epi bay sipò pou seleksyon pwodwi ak sitasyon ki baze sou espesifikasyon ki disponib yo.