Tantalum Carbide TaC CVD Coating Custom Parts

Deskripsyon kout:

Avèk avenman waf 8 pous Silisyòm kabid (SiC), egzijans pou divès pwosesis semi-kondiktè yo vin pi sevè, sitou pou pwosesis epitaksi kote tanperati yo ka depase 2000 degre Sèlsiyis. Materyèl sisèpteur tradisyonèl yo, tankou grafit ki kouvri ak Silisyòm kabid, gen tandans pou siblime nan tanperati sa yo ki wo, sa ki deranje pwosesis epitaksi a. Sepandan, CVD tantalum carbide (TaC) adrese pwoblèm sa a efektivman, li reziste tanperati jiska 2300 degre Sèlsiyis epi li ofri yon lavi sèvis ki pi long. Kontakte Semicera's Tantalum Carbide TaC CVD Coating Custom Partspou w eksplore plis bagay sou solisyon avanse nou yo.

 


Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

Semicera bay kouch espesyalize an carbure tantal (TaC) pou divès konpozan ak sipòtè.Pwosesis kouch dirijan Semicera a pèmèt kouch carbure tantal (TaC) yo reyalize yon pite ki wo, estabilite tanperati ki wo ak tolerans chimik ki wo, sa ki amelyore kalite pwodwi kristal SIC/GAN ak kouch EPI yo.Sisèpteur TaC kouvri ak grafit), epi pwolonje lavi konpozan kle reaktè yo. Itilizasyon kouch TaC ak carbure tantal la se pou rezoud pwoblèm kwen an epi amelyore kalite kwasans kristal la, epi Semicera te fè yon gwo pwogrè nan rezoud teknoloji kouch carbure tantal (CVD), rive nan nivo avanse entènasyonal la.

 

Avèk avenman waf 8 pous Silisyòm kabid (SiC), egzijans pou divès pwosesis semi-kondiktè yo vin pi sevè, sitou pou pwosesis epitaksi kote tanperati yo ka depase 2000 degre Sèlsiyis. Materyèl sisèpteur tradisyonèl yo, tankou grafit ki kouvri ak Silisyòm kabid, gen tandans pou siblime nan tanperati sa yo ki wo, sa ki deranje pwosesis epitaksi a. Sepandan, CVD tantalum carbide (TaC) adrese pwoblèm sa a efektivman, li reziste tanperati jiska 2300 degre Sèlsiyis epi li ofri yon lavi sèvis ki pi long. Kontakte Semicera's Tantalum Carbide TaC CVD Coating Custom Partspou w eksplore plis bagay sou solisyon avanse nou yo.

Apre plizyè ane devlopman, Semicera te konkeri teknoloji a.TaC maladi kadyovaskilè (CVD)avèk efò konjwen depatman R&D a. Li fasil pou gen defo nan pwosesis kwasans waf SiC yo, men apre yo fin itilize yoTaC, diferans lan enpòtan. Anba la a se yon konparezon ant waf ki gen ak san TaC, ansanm ak pati Simicera yo pou kwasans monokristal.

微信图片_20240227150045

avèk ak san TaC

微信图片_20240227150053

Apre w fin itilize TaC (adwat)

Anplis, Semicera aPwodwi ki kouvri ak TaCmontre yon lavi sèvis ki pi long ak yon pi gwo rezistans nan tanperati ki wo konpare akKouch SiC.Mezi laboratwa yo demontre ke nouKouch TaC yoka toujou fonksyone nan tanperati jiska 2300 degre Sèlsiyis pandan peryòd pwolonje. Men kèk egzanp echantiyon nou yo:

 
0(1)
Kote travay Semicira
Espas travay Semicira 2
Ekipman machin
Depo Semicira
Pwosesis CNN, netwayaj chimik, kouch CVD
Sèvis nou an

  • Anvan:
  • Apre: