Entwodiksyon nan kouch CVD TaC:
Kouch CVD TaC se yon teknoloji ki itilize depo vapè chimik pou depoze yon kouch carbure tantal (TaC) sou sifas yon substra. Carbide tantal se yon materyèl seramik pèfòmans segondè ki gen ekselan pwopriyete mekanik ak chimik. Pwosesis CVD a jenere yon fim TaC inifòm sou sifas substra a atravè reyaksyon gaz.
Karakteristik prensipal yo:
Ekselan dite ak rezistans meteKarbid tantal la gen yon dite ki wo anpil, epi kouch CVD TaC a ka amelyore rezistans substrati a kont mete anpil. Sa fè kouch la ideyal pou aplikasyon nan anviwònman ki gen anpil mete, tankou zouti koupe ak mwazi.
Estabilite tanperati ki woKouch TaC yo pwoteje konpozan kritik founo ak reaktè nan tanperati jiska 2200°C, sa ki demontre yon bon estabilite. Li kenbe estabilite chimik ak mekanik anba kondisyon tanperati ekstrèm, sa ki fè li apwopriye pou pwosesis tanperati ki wo ak aplikasyon nan anviwònman tanperati ki wo.
Ekselan estabilite chimikKarbid Tantalyòm gen yon gwo rezistans korozyon pou pifò asid ak alkali, epi kouch CVD TaC a ka efektivman anpeche domaj nan substra a nan anviwònman koroziv.
Segondè pwen fizyonKarbid tantal la gen yon pwen fizyon ki wo (apeprè 3880 °C), sa ki pèmèt ou itilize kouch CVD TaC nan kondisyon tanperati ekstrèm san li pa fonn oswa degrade.
Ekselan konduktivite tèmikKouch TaC a gen yon konduktivite tèmik ki wo, sa ki ede efektivman gaye chalè nan pwosesis tanperati ki wo epi anpeche surchof lokal.
Aplikasyon potansyèl yo:
• Konpozan reaktè epitaksi CVD nitrid galyòm (GaN) ak carbure silikon, tankou sipò waf, antèn satelit, tèt douch, plafon, ak sisèptè.
• Konpozan kwasans kristal Silisyòm kabid, nitrid galyòm ak nitrid aliminyòm (AlN) ki gen ladan krisòl, pòt grenn, bag gid ak filtè
• Konpozan endistriyèl ki gen ladan eleman chofaj rezistans, bouch enjeksyon, bag maskin ak jig soudaj
Karakteristik aplikasyon yo:
• Tanperati ki estab pi wo pase 2000°C, sa ki pèmèt operasyon nan tanperati ekstrèm
• Rezistan a idwojèn (Hz), amonyak (NH3), monosilan (SiH4) ak silikon (Si), sa ki bay pwoteksyon nan anviwònman chimik ki difisil
• Rezistans chòk tèmik li pèmèt sik operasyon pi rapid
• Grafit la gen yon adezyon fò, sa ki asire yon lavi sèvis ki long epi pa gen delaminasyon kouch la.
• Pite ultra-wo pou elimine enpurte oswa kontaminan ki pa nesesè
• Kouvèti konfòm ak tolerans dimansyonèl sere
Espesifikasyon teknik:
Preparasyon kouch dans tantal carbure pa CVD:
Kouch TAC ak kristalinite segondè ak inifòmite ekselan:
Paramèt teknik CVD TAC COATING_Semicera:
| Pwopriyete fizik kouch TaC la | |
| Dansite | 14.3 (g/cm³) |
| Konsantrasyon an gwo | 8 x 1015/cm |
| Emisivite espesifik | 0.3 |
| Koyefisyan ekspansyon tèmik | 6.3 10-6/K |
| Dite (HK) | 2000 Hong Kong |
| Rezistans an gwo | 4.5 ohm-cm |
| Rezistans | 1x10-5Ohm*cm |
| Estabilite tèmik | <2500℃ |
| Mobilite | 237 santimèt2/Kont |
| Chanjman gwosè grafit | -10 ~ -20um |
| Epesè kouch | ≥20um valè tipik (35um + 10um) |
Valè ki anwo yo se valè tipik.













