Karbid Silisyòm se yon kalite karbid sentetik ak molekil SiC. Lè yo chofe l, silica ak kabòn anjeneral fòme nan tanperati ki wo pi wo pase 2000°C. Karbid Silisyòm gen yon dansite teyorik 3.18g/cm3, yon dite Mohs ki sanble ak dyaman, ak yon mikwodite 3300kg/mm3 ant 9.2 ak 9.8. Akòz gwo dite li ak gwo rezistans li nan mete, li gen karakteristik rezistans tanperati ki wo epi li itilize pou yon varyete pyès mekanik ki reziste mete, korozyon ak tanperati ki wo. Li se yon nouvo kalite teknoloji seramik ki reziste mete.
1. Pwopriyete chimik yo.
(1) Rezistans oksidasyon: Lè yo chofe materyèl carbure Silisyòm lan a 1300 °C nan lè a, kouch pwoteksyon diyoksid Silisyòm lan kòmanse fòme sou sifas kristal carbure Silisyòm li an. Avèk epesman kouch pwoteksyon an, carbure Silisyòm entèn lan kontinye okside, sa ki fè carbure Silisyòm lan gen yon bon rezistans oksidasyon. Lè tanperati a rive plis pase 1900K (1627 °C), fim pwoteksyon diyoksid Silisyòm lan kòmanse domaje, epi oksidasyon carbure Silisyòm lan vin pi entans, kidonk 1900K se tanperati travay carbure Silisyòm nan yon atmosfè oksidan.
(2) Rezistans asid ak alkali: akòz wòl fim pwoteksyon diyoksid Silisyòm lan, carbure Silisyòm lan gen pwopriyete nan wòl fim pwoteksyon diyoksid Silisyòm.
2, Pwopriyete fizik ak mekanik.
(1) Dansite: Dansite patikil divès kristal carbure Silisyòm yo trè pre, jeneralman yo konsidere li kòm 3.20g/mm3, epi dansite anbalaj natirèl abrazif carbure Silisyòm yo se ant 1.2-1.6g/mm3, tou depann de gwosè patikil la, konpozisyon gwosè patikil la ak fòm gwosè patikil la.
(2) Dite: Dite Mohs Silisyòm carbure a se 9.2, mikwo-dansite Wessler a se 3000-3300kg/mm2, dite Knopp la se 2670-2815kg/mm, abrazif la pi wo pase korundòm, pre dyaman, nitrid bor kib ak carbure bor.
(3) Konduktivite tèmik: pwodwi carbure Silisyòm yo gen yon konduktivite tèmik ki wo, yon koyefisyan ekspansyon tèmik ki ba, yon rezistans chòk tèmik ki wo, epi yo se materyèl refraktè kalite siperyè.
3, Pwopriyete elektrik.
| Atik | Inite | Done | Done | Done | Done | Done |
| RBsic(sisik) | NBSiC | SSiC | RSiC | OSiC | ||
| Kontni SiC | % | 85 | 76 | 99 | ≥99 | ≥90 |
| Kontni Silisyòm gratis | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Tanperati sèvis maksimòm | ℃ | 1380 | 1450 | 1650 | 1620 | 1400 |
| Dansite | g/cm^3 | 3.02 | 2.75-2.85 | 3.08-3.16 | 2.65-2.75 | 2.75-2.85 |
| Porosite ouvè | % | 0 | 13-15 | 0 | 15-18 | 7-8 |
| Fòs koube 20 ℃ | Mpa | 250 | 160 | 380 | 100 | / |
| Fòs koube 1200 ℃ | Mpa | 280 | 180 | 400 | 120 | / |
| Modil elastik 20 ℃ | GPA | 330 | 580 | 420 | 240 | / |
| Modil elastik 1200 ℃ | GPA | 300 | / | / | 200 | / |
| Konduktivite tèmik 1200 ℃ | W/mk | 45 | 19.6 | 100-120 | 36.6 | / |
| Koyefisyan ekspansyon tèmik | K^-lx10^-8 | 4.5 | 4.7 | 4.1 | 4.69 | / |
| HV | kg/m^m2 | 2115 | / | 2800 | / | / |
