Deskripsyon
Konpayi nou an bay sèvis pwosesis kouch SiC pa metòd CVD sou sifas grafit, seramik ak lòt materyèl, pou gaz espesyal ki gen kabòn ak silikon reyaji nan tanperati ki wo pou jwenn molekil SiC ki gen gwo pite, molekil yo depoze sou sifas materyèl ki kouvri yo, pou fòme yon kouch pwoteksyon SIC.
Karakteristik prensipal yo
1. Grafit kouvri ak SiC ki gen gwo pite
2. Rezistans chalè siperyè ak inifòmite tèmik
3. Bon kristal SiC kouvri pou yon sifas lis
4. Segondè rezistans kont netwayaj chimik
Espesifikasyon prensipal kouch CVD-SIC la
| Pwopriyete SiC-CVD | ||
| Estrikti Kristal | Faz FCC β | |
| Dansite | g/cm³ | 3.21 |
| Dite | Dite Vickers | 2500 |
| Gwosè grenn | μm | 2~10 |
| Pite chimik | % | 99.99995 |
| Kapasite Chalè | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Tanperati Siblimasyon | ℃ | 2700 |
| Fòs Fleksiral | MPa (RT 4 pwen) | 415 |
| Modil Young lan | Gpa (koube 4pt, 1300℃) | 430 |
| Ekspansyon tèmik (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Konduktivite tèmik | (W/mK) | 300 |
