Palèt cantilever Silisyòm carbure

Deskripsyon kout:

Pagal Silisyòm carbure, ke yo rele tou pagal cantilever Silisyòm carbure, gwo bout bwa cantilever Silisyòm carbure se yon kalite pwodwi seramik Silisyòm carbure apre 1850.Sinterizasyon tanperati ki wo, men sinterizasyon tanperati ki wo seramik carbure Silisyòm se yon pwodwi seramik espesyal, pa patikil amannα-SiC ak aditif yo bourade nan yon espas vid, an kontak ak silikon likid nan tanperati ki wo, kabòn nan espas vid la ak enfiltrasyon Si reyaksyon, fòmasyon anβ-SiC,Epi konbine avèk α-SiC, silikon lib la te ranpli porosit la, pou jwenn materyèl seramik ki gen gwo dansite; Li gen plizyè pwopriyete siperyè seramik endistriyèl yo.

 


Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

Pagay Cantilever SiCYo itilize li nan founo kouch difizyon nan endistri fotovoltaik la pou kouvri plak silikon monokristalin ak polikristalin. Karakteristik li pèmèt li reziste tanperati ki wo ak korozyon, sa ki ba li yon lavi ki long.
LaPagay Cantilever SiCdelivre bato SiC / bato kwatz ki pote tranch silikon nan tib founo kouch difizyon tanperati ki wo a.
Longè nou anPagay Cantilever SiCvarye ant 1,500 ak 3,500 mm.Pagè Cantilever SiC yodimansyon yo ka fèt selon spesifikasyon kliyan an.

Pwopriyete fizik Silisyòm Carbide Rekristalize

Pwopriyete

Valè tipik

Tanperati travay (°C)

1600°C (avèk oksijèn), 1700°C (anviwònman rediksyon)

Kontni SiC

> 99.96%

Kontni Si gratis

< 0.1%

Dansite an mas

2.60-2.70 g/cm33

Porosite aparan

mwens pase 16%

Fòs konpresyon

> 600 MPa

Fòs koube frèt

80-90 MPa (20°C)

Fòs koube cho

90-100 MPa (1400°C)

Ekspansyon tèmik @1500°C

4.70 10-6/°C

Konduktivite tèmik @1200°C

23 W/m•K

Modil elastik

240 GPa

Rezistans chòk tèmik

Trè bon

Palèt cantilever Silisyòm carbure-2
Imaj prezante palèt cantilever carbure Silisyòm
0f75f96b9a8d9016a504c0c47e59375
Kote travay Semicira
Espas travay Semicira 2
Ekipman machin
Pwosesis CNN, netwayaj chimik, kouch CVD
Depo Semicira
Sèvis nou an

  • Anvan:
  • Apre: