Pagay Cantilever SiCYo itilize li nan founo kouch difizyon nan endistri fotovoltaik la pou kouvri plak silikon monokristalin ak polikristalin. Karakteristik li pèmèt li reziste tanperati ki wo ak korozyon, sa ki ba li yon lavi ki long.
LaPagay Cantilever SiCdelivre bato SiC / bato kwatz ki pote tranch silikon nan tib founo kouch difizyon tanperati ki wo a.
Longè nou anPagay Cantilever SiCvarye ant 1,500 ak 3,500 mm.Pagè Cantilever SiC yodimansyon yo ka fèt selon spesifikasyon kliyan an.
| Pwopriyete fizik Silisyòm Carbide Rekristalize | |
| Pwopriyete | Valè tipik |
| Tanperati travay (°C) | 1600°C (avèk oksijèn), 1700°C (anviwònman rediksyon) |
| Kontni SiC | > 99.96% |
| Kontni Si gratis | < 0.1% |
| Dansite an mas | 2.60-2.70 g/cm33 |
| Porosite aparan | mwens pase 16% |
| Fòs konpresyon | > 600 MPa |
| Fòs koube frèt | 80-90 MPa (20°C) |
| Fòs koube cho | 90-100 MPa (1400°C) |
| Ekspansyon tèmik @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Konduktivite tèmik @1200°C | 23 W/m•K |
| Modil elastik | 240 GPa |
| Rezistans chòk tèmik | Trè bon |





