CVD an gwo Silisyòm Karbid (SiC)
Apèsi sou sijè a:Maladi Kadyovaskilè (MKV)an gwo kantite carbure Silisyòm (SiC)se yon materyèl ki trè recherché nan ekipman grave plasma, aplikasyon pou pwosesis tèmik rapid (RTP), ak lòt pwosesis fabrikasyon semi-kondiktè. Pwopriyete mekanik, chimik ak tèmik eksepsyonèl li yo fè li yon materyèl ideyal pou aplikasyon teknoloji avanse ki mande gwo presizyon ak rezistans.
Aplikasyon pou CVD Bulk SiC:SiC an gwo kantite enpòtan nan endistri semi-kondiktè yo, patikilyèman nan sistèm grave plasma yo, kote konpozan tankou bag konsantrasyon, tèt douch gaz, bag kwen, ak plak benefisye de rezistans eksepsyonèl SiC a kont korozyon ak konduktivite tèmik. Itilizasyon li pwolonje pouRTPsistèm akòz kapasite SiC pou reziste rapid varyasyon tanperati san degradasyon siyifikatif.
Anplis ekipman pou grave, CVDSiC an gwoLi pi bon nan founo difizyon ak pwosesis kwasans kristal, kote yo bezwen gwo estabilite tèmik ak rezistans nan anviwònman chimik difisil. Atribi sa yo fè SiC materyèl ki pi pito pou aplikasyon ki gen gwo demann ki enplike tanperati ki wo ak gaz koroziv, tankou sa yo ki gen klò ak fliyò.
Avantaj konpozan SiC an gwo CVD yo:
•Dansite Segondè:Avèk yon dansite 3.2 g/cm³,CVD an gwo SiCKonpozan yo trè rezistan a mete ak enpak mekanik.
•Konduktivite tèmik siperyè:Avèk yon konduktivite tèmik 300 W/m·K, SiC an gwo jere chalè avèk efikasite, sa ki fè li ideyal pou konpozan ki ekspoze a sik tèmik ekstrèm.
•Rezistans chimik eksepsyonèl:Reyaktivite ki ba nan SiC ak gaz grave, tankou klò ak pwodui chimik ki baze sou fliyò, asire yon lavi konpozan ki pwolonje.
•Rezistans reglabl: SiC an gwo CVDRezistivite a ka Customized nan yon seri 10⁻²–10⁴ Ω-cm, sa ki fè li adaptab a bezwen espesifik pou grave ak fabrikasyon semi-kondiktè.
•Koefisyan ekspansyon tèmik:Avèk yon koyefisyan ekspansyon tèmik 4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), SiC an mas CVD reziste chòk tèmik, epi li kenbe estabilite dimansyonèl menm pandan sik chofaj ak refwadisman rapid.
•Durabilite nan Plasma:Ekspozisyon a plasma ak gaz reyaktif se inevitab nan pwosesis semi-kondiktè yo, menCVD an gwo SiCofri rezistans siperyè a korozyon ak degradasyon, sa ki diminye frekans ranplasman ak depans antretyen an jeneral.
Espesifikasyon teknik:
•Dyamèt:Pi gran pase 305 mm
•Rezistans:Reglabl nan 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Dansite:3.2 g/cm³
•Konduktivite tèmik:300 W/m·K
•Koefisyan ekspansyon tèmik:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Personnalisation ak Fleksibilite:NanSemicira Semiconductor, nou konprann ke chak aplikasyon semi-kondiktè ka mande espesifikasyon diferan. Se poutèt sa konpozan CVD SiC an gwo nou yo konplètman personnalisable, ak rezistivite reglabl ak dimansyon adapte pou satisfè bezwen ekipman ou yo. Kit w ap optimize sistèm grave plasma ou yo oswa w ap chèche konpozan dirab nan pwosesis RTP oswa difizyon, CVD SiC an gwo nou an bay yon pèfòmans san parèy.
