Tantalòm Carbide Kouvwi Bag

Deskripsyon kout:

Kouch Tantalòm carbure se yon teknoloji avanse pou kouvri sifas ki itilize materyèl Tantalòm carbure pou fòme yon kouch pwoteksyon di, rezistan a mete ak korozyon sou sifas substra a. Kouch sa a gen pwopriyete ekselan ki ogmante anpil dite materyèl la, rezistans tanperati ki wo ak rezistans chimik, tout pandan y ap diminye friksyon ak mete. Kouch Tantalòm carbure yo lajman itilize nan divès domèn, tankou fabrikasyon endistriyèl, ayewospasyal, jeni otomobil ak ekipman medikal, pou pwolonje lavi materyèl, amelyore efikasite pwodiksyon ak diminye depans antretyen. Kit se pou pwoteje sifas metal kont korozyon oswa amelyore rezistans mete ak rezistans oksidasyon pati mekanik yo, kouch Tantalòm carbure bay yon solisyon serye pou yon varyete aplikasyon.

 


Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

Semicera bay kouch espesyalize an carbure tantal (TaC) pou divès konpozan ak sipòtè.Pwosesis kouch dirijan Semicera a pèmèt kouch carbure tantal (TaC) yo reyalize yon pite segondè, estabilite tanperati ki wo ak tolerans chimik ki wo, amelyore kalite pwodwi kristal SIC/GAN ak kouch EPI yo.Sisèpteur TaC kouvri ak grafit), epi pwolonje lavi konpozan kle reaktè yo. Itilizasyon kouch TaC ak carbure tantal la se pou rezoud pwoblèm kwen an epi amelyore kalite kwasans kristal la, epi Semicera Semicera te fè yon gwo pwogrè nan rezoud teknoloji kouch carbure tantal (CVD), rive nan nivo avanse entènasyonal la.

 

Apre plizyè ane devlopman, Semicira te konkeri teknoloji a.TaC maladi kadyovaskilè (CVD)avèk efò konjwen depatman R&D a. Li fasil pou gen defo nan pwosesis kwasans waf SiC yo, men apre yo fin itilize yoTaC, diferans lan enpòtan. Anba la a se yon konparezon ant waf ki gen ak san TaC, ansanm ak pati Simicera yo pou kwasans monokristal.

微信图片_20240227150045

avèk ak san TaC

微信图片_20240227150053

Apre w fin itilize TaC (adwat)

Anplis de sa, pwodwi kouch TaC Semicera yo dire pi lontan epi yo pi rezistan a tanperati ki wo pase kouch SiC yo. Apre yon bon bout tan done mezi laboratwa, TaC nou an ka fonksyone pou yon bon bout tan nan yon maksimòm de 2300 degre Sèlsiyis. Men kèk nan echantiyon nou yo:

微信截图_20240227145010

(a) Dyagram eskematik aparèy pou fè lengote monokristal SiC grandi grasa metòd PVT (b) Sipò grenn anwo kouvri ak TaC (ki gen ladan grenn SiC) (c) Bag gid grafit kouvri ak TAC

ZDFVzCFV
Karakteristik prensipal la
Kote travay Semicira
Espas travay Semicira 2
Ekipman machin
Pwosesis CNN, netwayaj chimik, kouch CVD
Sèvis nou an

  • Anvan:
  • Apre: